_ بخش ترانزیستور اَثر میدانی ( قابل برنامه ریزی PUT)
(ولتاژ بایاس مستقیم) در ترانزیستور اَثر میدانی قابل برنامه ریزی PUT یا (ترانزیستور قابل کنترل)
پژوهشگر و نویسنده: دکتر ( افشین رشید)
انتخاب نام PUT ،که به معنی UJT قابل برنامه ریزی اســت به دلیل قابل کنترل بودن مقدار ولتاژ انتخاب شــده است زیرا در PUT ، مقــدار ولتاژ را می توان به مقــدار دلخواه برنامه ریزی یا تنظیم کرد.ترانزیستور put یک ترانزیستور قابل کنترل اســت ، لذا می توانیم با استفاده از آن ولتاژ را به مقدار دلخواه تنظیم کنیم.
در حوزه قطعات نیمه هادی، ترانزیستور put به دلیل توانایی منحصر به فرد خود در عمل به عنوان یک سوئیچ کنترل شده الکتریکی، برجسته است. برخلاف انواع رایج تر خود، ترانزیستور پیوندی دوقطبی (BJT) و ترانزیستور اثر میدانی (FET)، UJT دارای یک پیوند واحد و ویژگی های عجیب و غریبی است که آن را در مدار های مختلف زمان بندی و تریگر ضروری می کند. ترانزیستور put یک قطعه نیمه هادی سه ترمیناله است که به دلیل ساختار و ویژگی های الکتریکی منحصر به فردش متمایز می شود. برخلاف ترانزیستور های پیوندی دوقطبی (BJT) مرسوم که دارای دو پیوند هستند، ترانزیستور put دارای یک پیوند pn واحد است که نام آن از همین امر ناشی می شود. این پیوند تکی برای عملکرد آن محوری است و منشأ رفتار متمایز آن می باشد.
اگر بخواهیم مدار پایــداری بیشترین نقطــه را داشته باشــد، از مداری مطابق بـایـاس تقسـیـم کـنـنـده( Bias Divider Voltage ) استفاده میکنیم. در ایــن مدار به طور همزمان از بایاس تقســیم ولتاژ R١ و R٢ و مدار خود تغذیه (مقاومت RS ) استفاده شده است. به همین دلیل به این تغذیه، تغذیۀ مرکب نیز میگویند.
با توجه به اینکه از اِمیتر ترانزیستور put جریانی نمیگذرد، ولتاژ گیت برابر افت پتانسیل در دو سر مقاومت R٢ است به عبارت دیگر VDD بین R١ وR٢ تقسیم ولتاژ میشود و VG از DD به دست میآید. چون این ولتاژ مثبت است،برای این که VGS منفی شود باید پتانسیل بیس یعنی RSID بیشتر از VG باشد تا پیوند درین در بایاس مخالف قرار گیرد.
ولتاژ مقاومتی با استفاده از منحنی انتقالی مانند تحلیل ترسیمی بایاس سَر خود، در مشخصه کار را از طریق ولتاژ مقاومتی نیز میتوان نقطه بایاس تقسیم کنندهٔ انتقالی به دست آورد. در این رسم خط بار روی منحنی مشخصهٔ VGS صفر نیست زیرا مقاومت های نوع بایاس در نقطه ولتاژ افت پتانسیلی در اِمیتر ایجاد مینمایند. لذا در تقسیم کننده عبور این مدار خط بار DC از مبدأ مختصات یعنی از یک نقطه در حلقه خط بار ولتاژ DC در ساختمان ترانزیستور put ورودی به مدار نمیکند.
پژوهشگر و نویسنده: دکتر ( افشین رشید)
دکترایِ تخصصی نانو _ میکرو الکترونیک