بخش (ترانزیستور های nMOS و ترانزیستور های pMOS)
ترانزیستور اثر میدانی منفی nMOs (نحوه روشن شدن در مدار الکتریکی)
پژوهشگر و نویسنده: دکتر ( افشین رشید)
نکته: در ترانزیستور اثر میدانی منفی nMOs دوقطبی که جریان خروجی کلکتور، متناسب با جریان ورودی گذرنده از بیس است که سبب می‌شود ترانزیستور مانند یک قطعه جریان کار کند ، زیرا یک جریان کوچکتر را می‌توان برای سوئیچ جریان بزرگ بار به کار برد.
ترانزیستور اثر میدانی منفی nMOs، از یک ولتاژ برای اعمال به ترمینال ورودی که گیت (Gate) نامیده می‌شود، استفاده می‌کند و جریان گذرنده از آن متناسب با این ولتاژ است. از آن‌جایی که عملکرد nMOs مبتنی بر یک میدان الکتریکی حاصل از ولتاژ گیت ورودی است (نام اثر میدان به همین دلیل است)، سبب می‌شود ترانزیستور اثر میدانی منفی nMOs، یک قطعه مبتنی بر ولتاژ باشد.
ترانزیستور اثر میدانی منفی nMOs ، یک قطعه نیمه‌هادی تک‌قطبی است که مشخصات آن بسیار شبیه به ترانزیستور دو قطبی مشابه است. برخی از ویژگی‌های این قطعه، بازدهی بالا، عملکرد لحظه‌ای، مقاوم و ارزان بودن است که می‌توان آن را در اغلب مدارهای الکترونیکی با ترانزیستورهای پیوندی دوقطبی (BJT) معادل جایگزین کرد.