بخش (ترانزیستور های nMOS و ترانزیستور های pMOS)

ترانزیستورهای اثر میدانی منفی (nMOs) یا (اِن _ موس) یا معروف به ترانزیستور کانال N 

پژوهشگر و نویسنده:  دکتر  (  افشین رشید)


نکته : در ترانزیستورهای اثر میدانی منفی (nMOs) یا (اِن _ موس) در اثر میدان، با اعمال یک ولتاژ به پایه گیت میزان جریان عبوری از دو پایه سورس و درین کنترل می‌شود.
ترانزیستورهای اثر میدانی منفی (nMOs) یا (اِن _ موس) بر دو قسم است: نوع n یا N-Type و نوع p یا P-Type. از دیدگاهی دیگر این ترانزیستورها در دو نوع افزایشی و تخلیه‌ای ساخته می‌شوند.نواحی کار این ترانزیستورها شامل «فعال» و «اشباع» و «ترایود» است.این ترانزیستورها تقریباً هیچ استفاده‌ای ندارند چون جریان دهی آنها محدود است و به سختی مجتمع می‌شوند.

ویژگی‌های ترانزیستورهای اثر میدانی منفی (nMOs) یا (اِن _ موس)

۱- ترانزیستورهای اثر میدانی منفی (nMOs) یا (اِن _ موس) از عناصری به نام نیمه هادی مانند سیلیکون و ژرمانیوم ساخته می شود نیمه هادی ها جریان الکتریسیته را نسبتا خوب(اما نه به اندازه ای خوب که رسانا خوانده شوند مانند مس و آلومنیوم و تقریبا بد اما نه به اندازه ای که عایق نامگذاری شوند مانند شیشه) هدایت می کنند به همین دلیل به آنها نیمه هادی می گویند.
۲- عمل جادویی که 
ترانزیستورهای اثر میدانی منفی (nMOs) یا (اِن _ موس) می تواند انجام دهد اینست که می تواند مقدار هادی بودن خود را تغییر دهد . هنگامی که لازم است یک هادی باشد می تواند هدایت خوبی دشته باشد و هنگامی که لازم است تا به عنوان عایق عمل کند جریان بسیار کمی را از خود عبور می دهد که می توان آن را ناچیز شمرد.

ناحیه کاری ترانزیستورهای اثر میدانی منفی (nMOs) یا (اِن _ موس)

۱- ناحیه قطع
۲- ناحیه فعال (کاری یا خطی)
۳- ناحیه اشباع

ناحیه قطع: حالتی است که ترانزیستورهای اثر میدانی منفی (nMOs) یا (اِن _ موس) در آن ناحیه فعالیت خاصی انجام نمی‌دهد.

ناحیه فعال: اگر ولتاژ B را افزایش دهیم  ترانزیستورهای اثر میدانی منفی (nMOs) یا (اِن _ موس) از حالت قطع بیرون امده و به ناحیه فعال وارد می‌شود در حالت فعال ترانزیستور مثل یک عنصر تقریباً خطی عمل می‌کند.
حالت اشباع: اگر ولتاژ B را همچنان افزایش دهیم به ناحیه‌ای می‌رسیم که با افزایش جریان ورودی در B دیگر شاهد افزایش جریان بین C و E نخواهیم بود به این حالت می‌گویند حالت اشباع و اگر جریان ورودی به B زیاد تر شود امکان سوختن 
 ترانزیستورهای اثر میدانی منفی (nMOs) یا (اِن _ موس) وجود دارد.

کاربرد ترانزیستورهای اثر میدانی منفی (nMOs) یا (اِن _ موس)

_  ترانزیستورهای اثر میدانی منفی (nMOs) یا (اِن _ موس) هم در مدارات الکترونیک آنالوگ و هم در مدارات الکترونیک دیجیتال کاربردهای بسیار وسیعی دارد.
_ در مدارات آنالوگ 
 ترانزیستورهای اثر میدانی منفی (nMOs) یا (اِن _ موس) در حالت فعال کار می‌کند و می‌توان از آن به عنوان تقویت کننده یا تنظیم کننده ولتاژ (رگولاتور) و… استفاده کرد.
_ و در مدارات دیجیتال 
 ترانزیستورهای اثر میدانی منفی (nMOs) یا (اِن _ موس) در دو ناحیه قطع و اشباع فعالیت می‌کند که می‌توان از این حالت ترانزیستور در پیاده سازی مدار منطقی، حافظه، سوئیچ کردن و… استفاده کرد.
۱- در تقویت کننده ها (تقویت جریان)
۲- در تثبیت کننده ها
۳- به عنوان سوییچ استفاده می‌شود. (سوئیچ = کلید)
۴- در نوسان سازها (در مدارات اسیلاتور)
۵- در مدارات آشکارساز
۶- در مخلوط کننده ها (مدارات میکسر)
۷- درمدارات مدولاتور

پژوهشگر و نویسنده:  دکتر  (  افشین رشید)

دکترایِ  تخصصی نانو _ میکرو الکترونیک