بخش (ترانزیستور های nMOS و ترانزیستور های pMOS)
ترانزیستورهای اثر میدانی مثبت (pMOs) یا (پی _ موس) یا معروف به ترانزیستور کانال P
پژوهشگر و نویسنده: دکتر ( افشین رشید)
نکته : ترانزیستورهای اثر میدانی مثبت (pMOs) یا (پی _ موس) ، یک گزینه عالی برای تقویت کننده های خطی سیگنال کوچک است، زیرا امپدانس ورودی آن بسیار زیاد است که بایاس آن را ساده میکند.
برای اینکه یک ترانزیستورهای اثر میدانی مثبت (pMOs) یا (پی _ موس)، خاصیت تقویت کنندگی خطی داشته باشد، برخلاف ترانزیستور دوقطبی، باید در ناحیه اشباع کار کند. اما، مانند ترانزیستور دوقطبی باید حول یک نقطه کار ثابت مرکزی بایاس شود.
ترانزیستورهای اثر میدانی مثبت (pMOs) یا (پی _ موس) در ناحیه هدایت خود جریان را عبور می دهند که «کانال» (Channel) نامیده می شود. با اعمال ولتاژ مناسب به گیت، می توان این کانال هدایت را بزرگ تر یا کوچک تر کرد. اعمال این ولتاژ گیت به ترانزیستور، بر مشخصه الکتریکی کانال اثر خواهد گذاشت و یک میدان الکتریکی حول پایه گیت القا می کند. به همین دلیل است که این ترانزیستور، اثر میدان نامیده می شود.
ترانزیستورهای اثر میدانی مثبت (pMOs) یا (پی _ موس) هسته ای از مدار های یکپارچه است و به دلیل همین اندازه های بسیار کوچک می توان آن را در یک تراشه واحد طراحی و ساخت. MOSFET چهار دستگاه ترمینال با پایانه های منبع (S) ، دروازه (G) ، تخلیه (D) و بدنه (B) است. بدنه ترانزیستورهای اثر میدانی مثبت (pMOs) یا (پی _ موس) اغلب به ترمینال منبع وصل می شود ، بنابراین آن را به یک دستگاه سه ترمینال مانند ترانزیستور جلوه میدان تبدیل می کند. ترانزیستورهای اثر میدانی مثبت (pMOs) یا (پی _ موس) در بسیاری از مدارات الکترونیکی مورد استفاده قرار میگیرد. و مرسوم ترین نوع ترانزیستور است و قابل استفاده در هر دو مدار آنالوگ و دیجیتال است.
در مدار های گسترده ، یک ترانزیستورهای اثر میدانی مثبت (pMOs) یا (پی _ موس) به ما اجازه می دهد تا از ولتاژ نسبتاً کم در ساخت دروازه (Gate) استفاده کنیم تا جریان از تخلیه به منبع را تعدیل کنیم. دو نوع اساسی از ترانزیستورهای اثر میدانی مثبت (pMOs) یا (پی _ موس) برای ساخت مدار های گسسته می شود.ترانزیستورهای اثر میدانی مثبت (pMOs) یا (پی _ موس) یک وسیله نیمه هادی است که برای تعویض و تقویت سیگنال های الکترونیکی در دستگاه های الکترونیکی کاربرد گسترده ای در مدارات متفاوت برقی _ الکترونیکی را دارد.
پژوهشگر و نویسنده: دکتر ( افشین رشید)
دکترایِ تخصصی نانو _ میکرو الکترونیک