نانو لیتوگرافی پِلاسمونی (90 نانو متری) و ساخت اَدوات نانو اِلکترونیک ( دکترای نانو _ میکرو الکترونیک)
پژوهشگر و نویسنده: دکتر ( افشین رشید)
نکته: نانو لیتوگرافی با چگالی بالا را با استفاده از پلاسمون های سطحی بر روی یک بستر آلومینیومی سوراخ شده با آرایه های دو بعدی با استفاده از یک منبع نور UV (یو_وی) نزدیک به منظور برطرف کردن ویژگی های طول موج فرعی با انتقال زیاد انجام می شوند.
نانو لیتوگرافی نوری به دلیل بهره وری بالا در پیشرفت صنعت نیمه هادی در چند دهه گذشته نقش اساسی داشته است. روش های لیتوگرافی که در حال حاضر در ساخت دستگاه های مقیاس نانو الکترونیکی استفاده می شود عمدتاً بر اساس فناوری نوری با استفاده از تجهیزاتی است که به طور گسترده در بسیاری از فرآیند های صنعتی مورد استفاده قرار می گیرد. لیتوگرافی نوری با فشار دادن محدودیت وضوح نوری برای تولید دستگاه های الکترونیکی با چگالی بالا پیشرفت کرده است. وضوح نوری ، که نشان دهنده عملکرد تصویر برداری یک سیستم لیتوگرافی نوری است ، با ویژگی ذاتی پراش نور محدود می شود.
انتقال فوق العاده ای از نور از طریق یک فیلم سوراخ فلزی امکانات جدید برای لیتوگرافی نوری با شدت بالا در نزدیکی میدان تولید شده توسط فلز نانو دیآفراگم ارائه کرده است. سیستم لیتوگرافی با استفاده از چنین بالا انتقال نانو دیافراگم وضوح زیر از حد پراش دست یافته اند، و توسعه طرح های جدید از نانولیتوگرافی پلاسمونیک را آغاز کرده اند برای دستیابی به وضوح نوری بالا ، فاصله بین دیافراگم و مقاومت در برابر عکس باید دقیقاً در محدوده چند ده نانو متر حفظ شود ، زیرا اتصال میدان نزدیک به فاصله بسیار حساس است. علاوه بر این دشواری ، یک اشکال اصلی لیتوگرافی نزدیک میدان ، کم بودن توان الگوسازی است.برای الگوسازی سریع مقیاس نانو ، ویژگی های مولکول به روش چاپ تماس ، فرآیندهای موازی با آرایه های دو بعدی کنسول یا آرایه های قلم پلیمری انعطاف پذیر برای نانو لیتوگرافی پِلاسمونی (90 نانو متری) و ساخت اَدوات نانو اِلکترونیک انجام میگیرد ، فرآیند موازی با یک آرایه قلم فقط برای یک الگوی آرایه از همان ساختار در نظر گرفته شده بود ، زیرا هر قلم آرایه نمی تواند به طور جداگانه فعال شود. برای تولید الگوهای مقیاس نانو در مقیاس بزرگتر ، به یک آرایه پروب نیاز داریم که عناصر آن به طور جداگانه فعال شوند.استفاده از آرایه ای از پروبهای نانو دیافراگم در یک فرآیند موازی ، راهی امیدوارکننده برای تحقق لیتوگرافی نوری با توان بالا و نزدیک میدان است. با این حال ، در عمل پیاده سازی یک آرایه کاوشگر نوری که هزاران یا میلیون ها عنصر را برای ضبط میدان نزدیک نگه می دارد ، دشوار است ، زیرا فاصله بین هر کاوشگر و بستر الگو باید در محدوده دهها نانومتر به طور دقیق حفظ شود. هر کاوشگر نوری دارای یک لایه فیلم نازک جامد اضافی در زیر دیآفراگم است تا بتواند به صورت فیزیکی با بستر تماس گرفته و فاصله شکاف را در طول اسکن حفظ کند.
نتیجه گیری :
نانو لیتوگرافی با چگالی بالا را با استفاده از پلاسمون های سطحی بر روی یک بستر آلومینیومی سوراخ شده با آرایه های دو بعدی با استفاده از یک منبع نور UV (یو_وی) نزدیک به منظور برطرف کردن ویژگی های طول موج فرعی با انتقال زیاد انجام می شوند.
پژوهشگر و نویسنده: دکتر ( افشین رشید)
دکترایِ تخصصی نانو _ میکرو الکترونیک