نانو ترانزیستورها از نانو سیم های (NWs) ساخته شده اند که اجازه می دهد تا ترانزیستورها به مقیاس نانو کوچک شوند (دکترای نانو _ میکرو الکترونیک)
پژوهشگر و نویسنده: دکتر ( افشین رشید)
نکته: نانو ترانزیستورها از نانو سیم های (NWs) ساخته شده اند که اجازه می دهد تا ترانزیستورها به مقیاس نانو کوچک شوند. اما پایین آمدن به مقیاس نانو در واقع می تواند کار (Nano transistor) نانو ترانزیستور را دشوار کند.
محبوب ترین ماده نیمه هادی برای ساخت نانو ترانزیستورهای اثر میدانی Nano FET نانو سیم (NWs)میباشد.نانو سیم ها(NWS) به تنهایی نمی توانند حرکت الکترون ها را کنترل کند ، بنابراین ناخالصی باید در فرآیندی به نام دوپینگ ، به طور معمول با بور ، فسفر ، سلنیوم یا ژرمانیوم اضافه شود. هنگامی که نانو سیم (nano wire) دوپ شده است، حرکت الکترون ها هم می تواند تبدیل شود و اجازه می دهد جریان الکترون، و یا خاموش (توقف جریان الکترون) ، با استفاده از ولتاژ میان لایه نانو سیم های (NWs) روشن و خاموش میشود.
این نانو ترانزیستور ها ی اثر میدانی Nano FET از چند قسمت اصلی تشکیل شده است: دروازه ، منبع کانال ، تخلیه و بدنه. بدنه به طور معمول برای تسهیل در جریان الکترون ها از مواد نیمه هادی مانند نانو سیم های NWs تجمع یافته و ساخته شده است. الکترونها از طریق کانال به درون تخلیه جریان می یابند که توسط دروازه کنترل می شود. با اعمال ولتاژ ، می توانیم کانال را مسدود کنیم و جریان الکترون ها را داخل نانو ترانزیستور های اثر میدانی یا (Nano Fet) توسط نانو سیم های (NWs) روشن و خاموش کنیم.
نتیجه گیری :
نانو ترانزیستورها از نانو سیم های (NWs) ساخته شده اند که اجازه می دهد تا ترانزیستورها به مقیاس نانو کوچک شوند. اما پایین آمدن به مقیاس نانو در واقع می تواند کار (Nano transistor) نانو ترانزیستور را دشوار کند.