نانو ترانزیستور های چند لایه MBCFET (دکترای نانو _ میکرو الکترونیک)
پژوهشگر و نویسنده: دکتر ( افشین رشید)
نکته: نانو ترانزیستور های چند لایه MBCFET بهتر و مقیاس پذیری ولتاژ با کاهش گره فرآیند ، به حداقل رساندن جنبه های منفی محدودیت های نانو ترانزیستور چند لایه . MBCFET ها با افزایش سطح تماس بین کانال ترانزیستور و دروازه با مقیاس گذاری در جهت عمودی کار می کنند و امکان بارگذاری سریع تر و چگالی جریان بالاتر را در مقایسه با یک طرح مسطح فراهم می کنند.
نانو ترانزیستور های چند لایه MBCFET مانند ترانزیستورهای مسطح ، ترانزیستورهای FinFET در نهایت به نقطه‌ای می رسند که با کوچک شدن گرههای پردازش ، نمی توانند مقیاس کنند. به منظور مقیاس ، باید آن ناحیه تماس بین کانال و دروازه افزایش یابد و روش انجام این کار استفاده از نانو لوله های کربنی چند لایه CNTs است. نانو لایه ها ابعاد ترانزیستور را تنظیم می کند تا اطمینان حاصل شود که این دروازه نیز در زیر کانال قرار دارد ، نه تنها در قسمت بالا و طرفین. این به نانو ترانزیستور های چند لایه MBCFET اجازه می دهد تا ترانزیستور ها را به صورت عمودی جمع کند.
در ساختار نانو ترانزیستور های چند لایه MBCFET نانو لوله های چند لایه CNTs مورد استفاده قرار گرفته است. میزان افزایش نیروی گرمایی و مقاومت نانو لوله ها با ریشه سوم جرم اتمها و مولکول ها متناسب است. و همچنین حرارت دادن موجب افزایش استحکام نانو لوله شده و مقاومت کششی آن را شش برابر میکند و هدایت آن نیز افزایش مییابد. در اثر برخورد اتمها یا مولکولها با نانو لوله کربنی مقاومت الکتریکی آن تغییر میکند.و این تاثیرات در کارکرد و ساختار نانو ترانزیستور های چند لایه MBCFET نیز وجود دارد.
نتیجه گیری :
نانو ترانزیستور های چند لایه MBCFET بهتر و مقیاس پذیری ولتاژ با کاهش گره فرآیند ، به حداقل رساندن جنبه های منفی محدودیت های نانو ترانزیستور چند لایه . MBCFET ها با افزایش سطح تماس بین کانال ترانزیستور و دروازه با مقیاس گذاری در جهت عمودی کار می کنند و امکان بارگذاری سریع تر و چگالی جریان بالاتر را در مقایسه با یک طرح مسطح فراهم می کنند.