مشخصه یابی سیستمهای چند لایه ای Si /Gi در زمینه تأثیر ولتاژ بایاس منفی بر بهبود خواص نانو الکتریکی و ساختاری سد نفوذی لایه اسپاترنیگ Taدر سیستم Si/Ta (نانو ترانزیستور)
پژوهشگر و نویسنده: دکتر ( افشین رشید)
نکته: مشخصه یابی سیستمهای چند لایه ای Si /Gi اخیراً در زمینه تأثیر ولتاژ بایاس منفی بر بهبود خواص نانو الکتریکی و ساختاری سد نفوذی لایه اسپاترنیگ Taدر سیستم Si/Ta نانو وجود دارد .
همچنین در فناوری طراحی قطعات نانو الکترونی با استفاده و ساخت لایه های نازک مورد نیاز در مدارهای مجتمع مذکور فقط در محیطهای تعریف شده توسط روشهای دقیق لایه نشانی نظیر لایه نشانی با باریکه مولکولی (MBE) و لایه نشانی با بخار شیمیایی مواد آلی فلزی (MOCVD) امکان پذیر است.در فناوری نانو الکترونیک فرآیندهایی سطح زیر لایه (Si و Gi) از جمله سوزش توسط فناوری پلاسما و باریکه یونی صورت میگیرد. اینگونه مدارهای مجتمع با ویژگیهای منحصر به فرد خود در مقیاس نانومتری کاربردهای متنوعی از سیستمهای (مِزوسکوپیک) دارند.
اصولاً اتصالات نیم رسانا - فلز جزء لازمه تمامی قطعات نانو الکترونیکی هستند. چگونگی و رفتار اتصالات نانو الکتریکی به غلظت سطح نیم رسانا (Si ) و (Gi) تمیزی سطح و واکنشهای بین فصل مشترک فلز - نیم رسانا بستگی دارد. بعد از ابداع نانو ترانزیستور ، مفهوم و اهمیت مدارهای مجتمع روشن شد. پس از آن موفقیت بزرگ تجمع و اتصال تعداد بسیار زیادی از قطعات کوچک و اجزای الکترونیکی بر سطح زیر لایه تحول عظیمی در ساخت عملی مدارهای مجتمع بوجود آورد. با ابداع و رشد فناوری مینیاتور کردن قطعات نانو _ میکرو الکترونیکی استفاده از ساخت نانو سیستمهای کوانتومی تونل زنی در نانو دیودهای تشدید کننده ( SiوGi) و نانو قطعات دیگر امکان پذیر باشد.با گسترش ، طراحی و ساخت نانو مدارهای مجتمع به ویژه افزایش انباشت قطعات در مقیاس خیلی بزرگ و تلاش برای کوچکتر کردن قطعات میکرو الکترونیکی ادامه یافت. از طرف دیگر تقاضای جدید برای ساخت مدارهای مجتمع به ویژه نانو مدارهای حافظه شامل نانو حافظه دینامیکی (DRAM) و حافظه استاتیکی (SRAM) با ویژگیهایی نظیر سرعت عمل بالا توأم با کاهش اتلاف توان روز به روز بیشتر شد. در روند تکاملی فناوری فرامینیاتور کردن نانو قطعات الکترونیکی بویژه در هندسه و مقیاس زیر میکرونی کمتر از 2.0 میکرومتر یعنی حوزه فناوری طراحی قطعات نانو الکترونی و فناوری ساخت بر پایه نانو ساختار های Gi و Si نانو مدار های مجتمع از پیچیدگی خاصی برخوردار است.
نتیجه گیری :
مشخصه یابی سیستمهای چند لایه ای Si /Gi اخیراً در زمینه تأثیر ولتاژ بایاس منفی بر بهبود خواص نانو الکتریکی و ساختاری سد نفوذی لایه اسپاترنیگ Taدر سیستم Si/Ta نانو وجود دارد .
پژوهشگر و نویسنده: دکتر ( افشین رشید)
دکترایِ تخصصی نانو _ میکرو الکترونیک