ترانزیستور اتصال دهنده pMOS (فرکانس انتقال بالا 250 مگاهرتز با تاخیر 10 نان NAN ، زمان افزایش 25 میلی ثانیه ، زمان ذخیره سازی 225 میلی ثانیه و زمان سقوط 60 میلی متر)

بخش (ترانزیستور های nMOS و ترانزیستور های pMOS)

ترانزیستور اتصال دهنده pMOS (فرکانس انتقال بالا 250 مگاهرتز با تاخیر 10 نان NAN ، زمان افزایش 25 میلی ثانیه ، زمان ذخیره سازی 225 میلی ثانیه و زمان سقوط 60 میلی متر)

پژوهشگر و نویسنده:  دکتر  (  افشین رشید)

نکته: ترانزیستور اتصال دهنده pMOS جریان جمع کننده DC مداوم 800mA را فراهم می کند. به این معنی که دارای کلکتور بالا است بنابراین بیشتر در مدار هایی که جریان کم تا متوسط ​​لازم است استفاده می شود. با مقدار فرکانس انتقال بالا 250 مگاهرتز با تاخیر 10 نان NAN ، زمان افزایش 25 میلی ثانیه ، زمان ذخیره سازی 225 میلی ثانیه و زمان سقوط 60 میلی متر کار می کند. استفاده از آن بسیار راحت است.

موارد کاربرد ترانزیستور اتصال دهنده pMOS در مدار معمولاً برای کاربرد های تقویت کننده سوئیچینگ و فرکانس بسیار بالا (VHF) استفاده می شود. این ماده از مواد سیلیکونی ساخته شده است و مخصوصاً برای کاربرد های تقویت کننده ولتاژ کم ، جریان کم تا متوسط ​​و کم طراحی شده است.

بنابراین بایاس معکوس در ترانزیســتور جریانی را که به واســطه یک مقاومت کم در یک مدار تولید شده است را مــی تواند از مدار دیگری با مقاومت بیش تر عبور دهد. نام ترانزیســتور نیز از همین عملکرد انتخاب شده است.اگــر جریــان بیس به اندازه یــک میلی آمپــر تغییر کند ، تغییــرات جریان در کلکتور ممکن اســت بــه 100 میلی آمپر برســد، بعضی از مشــخصات یک ترانزیســتور، به شدت تابع حرارت اســت ، یعنی بــا تغییر حرارت برخی از مشــخصات ترانزیســتور تغییر می کند. روابط بین شــدت جریــان و ولتاژ  اختــلاف پتانســیل و تغییــرات آن ها در یک ترانزیســتور بســتگی به حرارت دارد.

ترانزیستور اتصال دهنده pMOS، به عنوان یک جایگزین برای nMOS معمولی به وسیله ی فعال کردن منبع تغذیه ولتاژ (VDD) با مصرف توانی فوق العاده کم، محاسبات کارآمد انرژی، در طی دامنه ی زیر- حد آستانه ی (sub-threshold slope: SS) به وجود آمد. آن نوع دستگاه، یک ساختار بایاس معکوس گیت دار است که معمولا به آن ترانزیستور اتصال دهنده pMOS می گویند. برای کاربردهای توان پایین، ترانزیستور اتصال دهنده pMOS مورد توجه قرار گرفته است. این افزاره نسبت به MOSFET ، جریان نشت استاتیک کمتری دارد و در مقابل SCEs مقاوم تر است. برجسته ترین ویژگی ترانزیستور اتصال دهنده pMOS ، ظرفیت تولید یک سویینگ آستانه فرعی معکوس (SS) کمتر از mV60/decade حد گرمایی (در 300 کلوین) مربوط به MOSFET های حالت معکوس متداول می باشد. ss شبه حرارتی، قابل حصول است، زیرا جریان درین در ترانزیستور اتصال دهنده pMOS ها بوسیله تزریق حامل از سورس به کانال تولید می شود که این غالبا تحت شعاع تونل زنی باند به باند مکانیک کوانتوم (BTBT) قرار می گیرد.

پژوهشگر و نویسنده:  دکتر  (  افشین رشید)

دکترایِ  تخصصی نانو _ میکرو الکترونیک