بررسی کامل ساختار و ساختمان داخلی ترانزیستور (پی_موس) یا pMOS (ترانزیستورهایی با ولتاژ آستانه کم)
پژوهشگر و نویسنده: دکتر ( افشین رشید)
نکته : با سری کردن دو نوع EMOSFET با کانال N و P ترانزیستوری مانند pMOS ساخته می شود.
ساختار و ساختمان کریستالی pMOS وقتی مانند یک کلید عمل میکند ، وقتی ولتاژ پایین میباشد کلید وصل و در ولتاژ بالا قطع و مانند کلیدی باز عمل میکند و خروجی تقریبا کنترل شده و بدون جریان عبوری میباشد .
بیشترین عملکرد pMOS در مدار برای فایلهای سریع مربوط به مسیرهای خواندن است که با استفاده پذیرش از مدارهای دینامیکی پیاده سازی میشوند. از اینرو، یک تکنیک مداری جدید در این مقاله پیشنهاد میشود که بدون کاهش چشمگیر سرعت و مصونیت در برابر نویز، توان مصرفی رجیستر فایلها را کاهش میدهد. در مدار دینامیکی پیشنهادی، شبکه پایینکش به چند شبکه کوچکتر تقسیم میشود تا عملکرد مدار افزایش یابد. همچنین شبکه های پایین Cash با استفاده از ترانزیستورهای pMOS پیش بار میشوند تا دامنه نوسان ولتاژ و در نتیجه توان مصرفی کم شود. با استفاده از مدار پیشنهادی، یک رجیستر فایل با 64 کلمه 32 بیتی، دو پورت برای خواندن و یک پورت برای نوشتن پیاده سازی میشود. رجیستر فایلهای مورد در تکنولوژی pMOS و با بکارگیری ترانزیستورهایی با ولتاژ آستانه کم شبیه سازی شدند.
با استفاده از منطق pMOS ایستا و دو طبقه از گیتهای NOR دو ورودی و NAND سه ورودی طراحی میشوند تا نهایتا سیگنالهای انتخاب خواندن (RS )و نوشتن (WS ) رجیسترها تولید شوند.
پژوهشگر و نویسنده: دکتر ( افشین رشید)
دکترایِ تخصصی نانو _ میکرو الکترونیک