بخش _ تکثیر و تولید نانو سیم ها

استفاده از نانو لیتوگرافی روبِشی یا Scanning Nano Lithography در روش غوطه وری نانو سیم ها

پژوهشگر و نویسنده:  دکتر  (  افشین رشید)


نکته: بسیاری از کاربرد های احتمالی تغییرات مقیاس نانو با کاوشگر های حرارتی مانند نانو  لیتوگرافی روبِشی یا (Scanning Nano Lithography) هنوز در نانو الکترونیک کاربردی هستند ، به ویژه هنگامی که می توان از نرخ گرمایش و سرمایش فوق العاده بالا در تولید نانو سیم ها استفاده کرد.

بسیاری از ریزسیستم ها و نانو سیستم ها نیاز به الگوهای دقیق مقیاس نانو دارند که عملکرد ذاتی از خود نشان دهند ، مانند برخی از خواص الکترونیکی ، فوتونی ، شیمیایی و مکانیکی. برای ساختن این الگوهای مقیاس نانو ، لیتوگرافی پرتو الکترونی متداول ترین تکنیک لیتوگرافی بدون نوشتن مستقیم و بدون ماسک است.نانو  لیتوگرافی روبِشی یا (Scanning Nano Lithography) به نوری پیچیده سازگار با الکترون نیاز دارد تا پرتو الکترون را در نقطه ای چند نانومتری متمرکز کند. مسئله دیگر پراکندگی الکترون است ، نوعی اثر مجاورت ، بر روی سطح نمونه ، که منجر به قرار گرفتن در معرض مقاومت نامطلوب اضافی می شود که باید با الگوریتم های محاسبه فشرده اصلاح شود.نانو  لیتوگرافی روبِشی یا (Scanning Nano Lithography) یکی دیگر از روشهای نانو لیتوگرافی مستقیم نوشتن است ، که در آن الگوها با اسکن نوک تیز نانومتری بر روی نمونه ایجاد می شوند تا تغییرات محلی ایجاد شود. برهم کنش های نمونه و نمونه مُتعدد است و می تواند شامل اثرات مکانیکی ، الکتریکی ، انتشار و حرارتی باشد. 



در روش غوطه وری نانو سیم ها زمان کافی برای انتقال از ذرات نانو سیم ها به حفره هـا را دارند؛ مرحله تشکیل نانو ذرات یکنواخت به آرامی   انجام شـده و در نهایـت نانو سیم هایی یکنواخت تشکیل میشود.بررسی ساختاری بـا FESEM در روش غوطه وری نـانو سـیم هـای یکنواخـت در تمـام اِختلال ها و در منطقه وسیعی در ذرات نانو سیم ها تشکیل شده انـد. بـا تغییـر نسبت Sr/Fe در مورفولوژی نانوسیم ها تغییری ایجاد نمیشود. و طیف سنجی نانوسـیم هـا بـا نسـبت Sr/Fe متفاوت درون نانو ذرات داخلی (نانو سیم های یکنواخت) وجـود عناصـر Fe و Sr ناشـی از فریـت استرانســیوم اســت در طیف سنجی نانو سیم های یکنواخت مشاهده میشود در نمونه نسبت ذرات نانو Sr/Fe بـه مقدار استوکیومتری آن در ترکیب الکترو مغناطیسی نانو ذرات نزدیـک تـر اسـت، در حالی که به دلیل انحلال پذیری کمتر نانو مولکول های نانو سیم یکنواخت استرانسیوم نسبت بـه نیترات آهن و به دنبال آن حضور کمتر یون هـای استرانسـیوم در واکنش، با ذرات الکترومغناطیسی نانو سیم ها، مقـدار بیشـتری یـون Fe در سـاختار نهـایی وجود دارد.

برای جداسازی نانو سـیم هـا ی  یکنواخت از ذرات فعال الکترومغناطیسی مولار در دمای محیط استفاده میشود. در کاربرد نانوسیم های در لوازم الکترونیکی نانو مقیاس یا برخی کاربرد های دیگر لازم است نانو سیم ها از ذرات آلومینا جدا شوند.


نتیجه گیری :

بسیاری از کاربرد های احتمالی تغییرات مقیاس نانو با کاوشگر های حرارتی مانند نانو  لیتوگرافی روبِشی یا (Scanning Nano Lithography) هنوز در نانو الکترونیک کاربردی هستند ، به ویژه هنگامی که می توان از نرخ گرمایش و سرمایش فوق العاده بالا در تولید نانو سیم ها استفاده کرد.

پژوهشگر و نویسنده:  دکتر  (  افشین رشید)

دکترایِ  تخصصی نانو _ میکرو الکترونیک