تاریخچه و ساختمان داخلی آیسی حافظه EPROM تلفظ صحیح:  (ای _ پرام) 

پژوهشگر و نویسنده:  دکتر  (  افشین رشید)



نکته: به طور کلی  EPROM (ای _ پرام)  یک حافظه غیر فرار است . EPROM توسط Dov Frohman در سال 1971 در اینتل توسعه یافت. یک EPROM برنامه ریزی شده می تواند داده های خود را برای حداقل 10 تا 20 سال حفظ کند. یک پنجره کریستال کوارتز شفاف در بالای EPROM وجود دارد که به نور UV اجازه می دهد تا داده ها را پاک کند.

آیسی حافظه EPROM می تواند داده ها را حتی در صورت عدم وجود منبع تغذیه حفظ کند. داده ها را می توان با استفاده از اشعه ماوراء بنفش (UV) پاک و دوباره برنامه ریزی کرد. نور UV داده های روی تراشه را پاک می کند تا بتواند دوباره برنامه ریزی کند. برای نوشتن و پاک کردن داده ها در EPROM به دستگاه خاصی نیاز داریم که به نام برنامه نویس PROM شناخته می شود. فرآیند برنامه نویسی یک EPROM اغلب BURNING یا (رایت) نامیده می شود و جعبه ای که برای برنامه ریزی آن به آن وصل شده است رایتر EPROM می نامند.داده های EPROM را می توان چند بار پاک کرد زیرا پاک کردن بیش از حد به لایه دی اکسید سیلیکون آسیب می رساند و استفاده از تراشه را غیر قابل اعتماد می کند. فرآیند برنامه نویسی در EPROM از نظر الکتریکی قابل برگشت نیست.



آیسی حافظه EPROM جایگزین آیسی حافظه ROM بود (حافظه فقط خواندنی ) و PROM (حافظه فقط خواندنی قابل برنامه ریزی ) میباشد، و برای غلبه بر معایب ROM و PROM توسعه یافت.این روزها از تراشه های EPROM در مدارت الکترونیکی استفاده نمی شود و این تراشه های EPROM با تراشه های حافظه EEPROM جایگزین شده اند.بیشترین کاربرد یک تراشه حافظه EPROM برای ذخیره بایوس کامپیوتر است که از یک بوت استرپ لودر استفاده می کند.در برخی از میکروکنترلر ها از تراشه حافظه EPROM برای ذخیره سازی داده ها استفاده می کنند.


 

مدت زمان مصرف (عمر مفید)

ای پرام ها  EPROM طوری طراحی شده اند که حداقل 10 تا 20 سال عمر کنند. قبلاً نمونه های مشاهده شده که  از مرز 20 سال گذشته است.هر بیت در یک EPROM با نگه داشتن شارژ در یک "چاه الکترونی" کار می کند. با گذشت زمان، الکترون‌ ها نشت می‌ کنند. به طور متوسط ​​بین 20 تا 40 سال طول می ‌کشد. مداری که "حفره ها " را می‌ خواند، زمان بیشتری طول می ‌کشد تا با تخلیه الکترون ‌ها اطلاعات ذخیره شده روی آیسی EPROM به پایان عمر خود برسد. فقط برنامه ریزی با اشعه UV می تواند این حفره ها را دوباره پر کند. سایر مشکلاتی که در از دست دادن الکترون نقش دارند (از دست رفتن زودتر اطلاعات بر روی آیسی E PROM)  گرمای شدید، آب و هوای مرطوب و اکسید شدن آثار زیر لایه آیسی EPROM است. رطوبت می تواند به داخل نفوذ کند و خوردگی آیسی EPROM را تسریع کند.

  • پژوهشگر و نویسنده:  دکتر  (  افشین رشید)

  • دکترایِ  تخصصی نانو _ میکرو الکترونیک