بخش (ترانزیستور های nMOS و ترانزیستور های pMOS)

ترانزیستور nMOS ( تقویت کننده جریان دوپینگ)

پژوهشگر و نویسنده:  دکتر  (  افشین رشید)


نکته : ترانزیستور های nMOS از عنصر های نیم هادی سیلیسیم یا ژرمانیوم تشکیل می شوند.منظور از نیم هادی یعنی در برخی شرایط رسانای جریان برق هستند.

در برخی شرایط به صورت نا رسانا عمل می کنند.ترانزیستور های nMOS در مدار گاهی به صورت کلید قطع و وصل مورد استفاده قرار می گیرد.و گاهی به صورت تقویت کننده ولتاژ یا جریان دوپینگ Transistor  انواع مختلفی دارد.



ساختمان داخلی  ترانزیستور های nMOS

با عبور جریان بسیار اندک در مدار و رسیدن به پایه بیس ترانزیستور، Transistor روشن می شود.یعنی پایه های امیتر به کلکتور اتصال کوتاه می شود.ترانزیستور های nMOS نیز مانند ترانزیستور های pmos دارای سه پایه ی بیس،کالکتور و امیتر هستند و کنار یا نزدیک آنها نوشته شده Q تست ترانزیستور در تمام ترانزیستور ها پایه ی بیس به هر دو پایه ی دیگر راه می دهد.ترانزیستور nMOS وسیله ای است که جریان یا ولتاژ را تنظیم می کند و به عنوان سوئیچ یا دروازه برای سیگنال های الکترونیکی عمل می کند. 


ترانزیستورهای nMOS از سه لایه از یک ماده نیمه هادی تشکیل شده اند که هر یک قادر به حمل جریان هستند.ترانزیستور nMOS در مدار جریان یا ولتاژ را تنظیم می کند و به عنوان سوئیچ  یا دروازه برای سیگنال های الکترونیکی عمل می کند.

ترانزیستور nMOS از سه لایه از یک ماده نیمه هادی تشکیل شده است که هر یک قادر به حمل جریان است. نیمه هادی موادی مانند ژرمانیم و  سیلیکون است که برق را به روشی "نیمه رسانا" هدایت می کند. در جایی بین یک هادی واقعی مانند مس و یک عایق (مانند پلاستیک پیچیده شده در سیم ها) قرار دارد.مواد نیمه هادی توسط یک فرایند شیمیایی به نام دوپینگ خاصیت ویژه ای به دست می دهند دوپینگ به موادی منجر می شود که یا الکترون های اضافی را به مواد اضافه می کند.

  • پژوهشگر و نویسنده:  دکتر  (  افشین رشید)

    دکترایِ  تخصصی نانو _ میکرو الکترونیک