بخش (ترانزیستور های nMOS و ترانزیستور های pMOS)

(pMOS) ترانزیستور سریعی در عملکرد (زمان قطع و وصل در آن در حدود 1 میکرو ثانیه)

پژوهشگر و نویسنده:  دکتر  (  افشین رشید)


نکته: (pMOS) ترانزیستور سریعی در عملکرد است زمان قطع و وصل در آن در حدود 1 میکرو ثانیه این نوع از ترانزیستور های دو قطبی (pMOS) بیشتر برای راه اندازی اِلمانهای توان بالا می باشد.

مهمترین و تقریباً تنها کارایی ترانزیستور های دو قطبی (pMOS) سوئیچینگ جریانهای بالا می باشد. (pMOS) ترانزیستور سریعی در عملکرد است زمان قطع و وصل در آن در حدود 1 میکرو ثانیه می باشد. چون که زمان بازیابی در این ترانزیستور خیلی کم است در نتیجه این ترانزیستور در فرکانس های بالا عملکرد مناسبی دارد.


بطور کلی ترانزیستور های دو قطبی (pMOS) ها در کاربرد های الکترونیک قدرت مورد استفاده قرار می گیرند: از قبیل اینورتر ها، مبدل ها و منابع تغذیه و بطور کلی در کاربرد هایی که ترانزیستور های دو قطبی قدرت و یا ترانزیستور های MOSFET قدرت بطور کامل قادر نیستند نیاز های یک سوئیچ قدرت را برآورده سازند. ترانزیستور های دو قطبی با جریان بالا و یا ولتاژ بالا موجود هستند ولی سرعت سوئیچینگ آنها پایین است، در حالیکه ترانزیستور های ماسفت دارای سرعت سوئیچینگ بالایی هستند ولی انواع جریان بالا و ولتاژ بالای آنها گران بوده و دسترسی به آنها سخت می باشد.

یکی از معایب اصلی ترانزیستور های دو قطبی (pMOS) این است که دارای پاسخ فرکانسی خوبی در فرکانس های بالا نیستند. این مسئله ناشی از ظرفیت خازنی بالا در پیوند (سورس-گیت) است. این پیوند نسبتا بزرگ طراحی شده تا بتواند به میزان کافی تقویت جریان در مدار کند. برای یک قطعه با ساختار متجانس (homo-structure) مانندترانزیستور های دو قطبی (pMOS) در حالت معمول پهنای باند می تواند در حدود 250 کیلوهرتز محدود باشد. در قطعات با ساختار چند لایه حد بالایی فرکانس بیشتر است و برخی از آن ها می توانند در فرکانس هایی حدود 1 گیگا هرتز نیز عمل کنند.

پژوهشگر و نویسنده:  دکتر  (  افشین رشید)

دکترایِ  تخصصی نانو _ میکرو الکترونیک