بخش (ترانزیستور های nMOS و ترانزیستور های pMOS)
بازده سوئیچینگ (ترانزیستور nMOS)می تواند ولتاژ چند صد ولتی را با چند میلی آمپر مسدود کند.
پژوهشگر و نویسنده: دکتر ( افشین رشید)
نکته: از آن جایی که عملکرد ترانزیستور های nMOS مبتنی بر یک میدان الکتریکی حاصل از ولتاژ گیت ورودی است (نام اثر میدان به همین دلیل است)، سبب می شود ترانزیستور اثر میدان، یک قطعه مبتنی بر ولتاژ باشد.ترانزیستور های nMOS ، یک قطعه نیمه هادی تک قطبی است که مشخصات آن بسیار شبیه به ترانزیستور دو قطبی مشابه است.
برخی از ویژگی های این قطعه، بازدهی بالا، عملکرد لحظه ای، مقاوم و ارزان بودن است که می توان آن را در اغلب مدار های الکترونیکی با ترانزیستور های پیوندی دو قطبی و از نظر ساختاری مشابه (مانند BJT) جایگزین کرد.
ترانزیستور nMOS یک دستگاه نیمه هادی جدید است که می تواند برای کنترل میزان زیاد توان بار استفاده شود.خصوصیات سوئیچ ترانزیستور nMOS بسیار شبیه BJT است زیرا ترانزیستور nMOS یا ولتاژ بالایی را جذب می کند و از جریان جریان بار جلوگیری می کند و یا به ولتاژ پایین می رود و اجازه می دهد جریان بار جریان یابد. از ترمینال سوم می توان برای استفاده از یک جریان کنترل استفاده کرد که این عمل شکست را آغاز می کند. بازده سوئیچینگ ترانزیستور nMOS بسیار زیاد است زیرا در مدار می تواند ولتاژ چند صد ولتی را با چند میلی آمپر مسدود کند یا 50 آمپر جریان را با افت ولتاژ حدود 1.0 ولت هدایت کند. ترانزیستور nMOS ها در حالت روشن (وصل) دارای تلفات هدایتی کمتری هستند، در حالیکه زمان سوئیچینگ آن ها به خصوص هنگام خاموش شدن طولانی تر است. ترانزیستور nMOS ها قادرند که به مراتب سریعتر قطع و وصل شوند، بنابراین تلفات هدایت آن ها بیشتر است. ترانزیستور nMOS ترانزیستوری است که مزایای BJT و ماسفت را با هم دارد.
از مهمترین مزایای استفاده از عایق بندی گیت دو قطبی ترانزیستور nMOS نسبت به انواع دیگر دستگاه های ترانزیستور ، قابلیت ولتاژ بالای آن ، مقاومت در برابر کم ، سهولت درایو ، سرعت سوئیچینگ نسبتاً سریع و همراه با جریان درایو صفر است و می تواند گزینه مناسبی برای سرعت متوسط در مدار های ولتاژ بالا باشد.
پژوهشگر و نویسنده: دکتر ( افشین رشید)
دکترایِ تخصصی نانو _ میکرو الکترونیک