بخش _ شناخت (ترانزیستور دارلینگتون) یا زوج دارلینگتون

بررسی نسبت ذاتی فاصله (η) برای (رلاکسیون و مکانیسم های تریگر) در ترانزیستور  دارلینگتون Darlington = جفت یا زوج

پژوهشگر و نویسنده:  دکتر  (  افشین رشید)




یک ترانزیستور دارلینگتون Darlington بر اساس یک مکانیسم منحصر به فرد که با یک ناحیه مقاومت منفی مشخص می‌ شود، عمل می‌ کند که برای کاربرد های آن، به ویژه در نوسان‌ سازهای رلاکسیون، بسیار مهم است. این رفتار یک ترانزیستور دارلینگتون Darlington توسط ساختار داخلی دستگاه و برهم‌ کنش ولتاژ و جریان در لایه‌ های آن کنترل می‌ شود، که با ترانزیستور های پیوندی دوقطبی (BJT) استاندارد متمایز است.

 images_rjrp.png

untitled-16_u7qz.jpg

بررسی نسبت ذاتی فاصله (η) در یک ترانزیستور دارلینگتون  :

این پارامتر برای تعیین ولتاژ آتش (Vp) برای یک ترانزیستور دارلینگتون Darlington بسیار مهم است. این ولتاژ کسری از ولتاژ بین پایه‌ ها است که به صورت R_B1/(R_B1 + R_B2) محاسبه می‌ شود، که در آن R_B1 و R_B2 مقاومت‌ های بین اِمیتر و پایه‌ های مربوطه هستند.

 





نسبت ذاتی فاصله (η) در عملکرد یک ترانزیستور دارلینگتون Darlington نقش اساسی دارد، پارامتری حیاتی که ولتاژ آتش (که به ولتاژ نقطه پیک (Vp) نیز معروف است) را تعیین می‌ کند، ولتاژی که در آن قطعه از حالت خاموش به حالت رسانا تغییر حالت می‌ دهد. پیوند امیتر-بیس در یک ترانزیستور دارلینگتونDarlingtonرفتاری غیرخطی از خود نشان می‌ دهد که در آن افزایش ولتاژ امیتر فراتر از Vp منجر به کاهش مقاومت امیتر می‌ شود و مشخصه مقاومت منفی فوق‌ الذکر را نشان می‌ دهد.

 



چرخه عملکرد یک ترانزیستور دارلینگتون Darlington با بایاس معکوس پیوند امیتر آغاز می‌ شود که اساساً به عنوان یک سوئیچ باز عمل می‌ کند. هنگامی که ولتاژ در امیتر به ولتاژ نقطه اوج (Vp) می‌ رسد، پیوند امیتر به دلیل مدولاسیون رسانایی میله سیلیکونی، بایاس مستقیم می‌ شود و جریان را به ناحیه بیس تزریق می‌ کند. این گذار باعث می‌ شود یک ترانزیستور دارلینگتون Darlington وارد حالت رسانایی شود تا زمانی که جریان امیتر به زیر جریان دره کاهش یابد، که در آن نقطه به حالت مقاومت بالای خود باز می‌ گردد. این رفتار چرخه‌ ای همان چیزی است که یک ترانزیستور دارلینگتون Darlington را برای نوسان‌ سازهای رلاکسیون و مکانیسم‌ های تریگر مناسب می‌ کند.

پژوهشگر و نویسنده:  دکتر  (  افشین رشید)
دکترایِ  تخصصی نانو _ میکرو الکترونیک