بخش (ترانزیستور های nMOS و ترانزیستور های pMOS)

(ترانزیستور pMOS) و (ولتاژ بحرانی  یا Pinch off Voltage)

پژوهشگر و نویسنده:  دکتر  (  افشین رشید)



نکته : اعمال ولتاژ مخالف به گیت  Gate ترانزیستور pMOS با اعمال یک ولتاژ به دوسر (گیت _ سورس) سبب میشود که  سد PN را در گرایش معکوس قرار دهیم.

 ترانزیستور pMOS یا همان نوعی ترانزیستور اثر میدان ، به دسته‌ ای از ترانزیستورها اطلاق می شود . کار کنترل جریان در این قطعات ، توسط یک میدان الکتریکی صورت می‌گیرد . 

ترانزیستور pMOS ، به دو دسته ی عمده ی : ترانزیستورهای تک‌ قطبی و ترانزیستورهای دوقطبی ، تقسیم بندی می شود . گفتنی است ترانزیستورهای اثر میدان ، دارای سه پایه ی سورس، درین و گیت هستند . این گروه از ترانزیستورها ، خود به دو گروه ماسفت Mosfet و جی‌فت JFET تقسیم می‌شوند . در این نوع فت ، برخلاف فت های دو قطبی پیوندی که کنترل جریان امیتر و کلکتور با جریان ورودی به بیس صورت می‌گیرد ، سورس و درین ، با اعمال ولتاژ به گیت ، کنترل جریان می شوند .


(گرایش سد در ولتاژ معکوس ترانزیستورpMOS)

هر گونه افزایشی درمیزان این ولتاژ، گسترش سریعتر لایه سد (ناحیه تهی از حامل های جریان ) در داخل کانال را به همراه دارد و موجب افزایش مقاومت کانال و کاهش جریان درین میشود و با کاهش جریان  ولتاژ ،عرض کانال بیشتر میشود و مقاومت کانال را کاهش میدهد. در این شرایط جریان درین بیشتری از مدار میگذرد. و سبب (گرایش سد در ولتاژ معکوس ترانزیستورpMOS) میشود.



(ولتاژ بحرانی  یا Pinch off Voltage)

ولتاژ بحرانی  یا Pinch off Voltage اگر ولتاژ جریان گیت در ترانزیستور pMOS  بیش از حد مجاز باشد یعنی به مقداری که به بسته شدن حداکثری کانال گیت _سورس منجر میشود، ولتاژ بحرانی یا (VP ) میگویند. دراین حالت جریان درین drane به صورت فنی معین،تحمل  مقدار ولتاژ بحرانی ثابت میماند. تحمل ولتاژ برای یک pMOS با شماره فنی مشخصی نمایش داده میشود. که در برگهُ اطلاعات  آن  یا data sheet ( دیتا شیت) موجود میباشد.

  • پژوهشگر و نویسنده:  دکتر  (  افشین رشید)

    دکترایِ  تخصصی نانو _ میکرو الکترونیک