_ بخش (ترانزیستور های اَثر میدانی)

بررسی و تحلیل فُتو ترانزیستور اَثر میدانی (Photo Transistor) ترانزیستور حساس به نور ( در شدت نور های مختلف بسیار شبیه به ویژگی های ترانزیستورهای دو قطبی معمولی)

پژوهشگر و نویسنده:  دکتر  (  افشین رشید)



نکته : اگر چه ترانزیستور های عادی هم هنگامی که در معرض نور قرار گیرند، اثراتی ناشی از حساسیت به نور از خود نشان می دهند؛ ولی ساختار فتو-ترانزیستور ها به طور خاص برای کاربردهای نوری بهینه شده اند.

فتو-ترانزیستور ها بیس بزرگتری دارند و ناحیه ی کلکتور شبیه به ترانزیستور های عادی است. به طور کلی اسن قطعات با استفاده از انتشار و القای یون ساخته شده اند. برای ساختار های متجانس (homo-structure) که در آن از ماده ی یکسانی درون قطعه استفاده می شود، میزان بهره از حدود 50 تا چند صد می باشد. برای قطعاتی با ساختار چند لایه بهره می تواند تا ده هزار هم بالا برود. با وجود این که ساختارهای چند لایه دارای بهره ی بالایی هستند ولی به طور وسیع استفاده نمی شوند زیرا هزینه ی ساخت این قطعات زیاد است. 



مزیت دیگر فتو-ترانزیستورها در مقایسه با فتو-دیودهای بهمنی که آن ها نیز دارای بهره می باشند، این است که فتو-ترانزیستور ها دارای نویز بسیار کمتری هستند.

فتو-ترانزیستور ها  برای برخی از کاربرد ها در ساختار دستگاه های الکترونیکی بسیار مناسب هستند. این قطعات دارای بهره ی بالایی بوده و قیمت انواع استاندارد آن پائین است.این فتو-ترانزیستور ها می توانند در بسیاری از کاربرد ها استفاده شوند.ویژگی های فتو-ترانزیستور در شدت نورهای مختلف بسیار شبیه به ویژگی های ترانزیستورهای دو قطبی معمولی است، با این تفاوت که به جای مقادیر مختلف جریان بیس در این حالت میزان های مختلفی از شدت نور مطرح می شود.

حتی زمانی که هیچ نوری به فتو-ترانزیستور نتابد باز هم میزان کمی جریان در آن وجود دارد که به آن جریان تاریکی گفته می شود و نشان دهنده ی این است که تعداد کمی از حامل ها به امیتر وارد شده اند.

پژوهشگر و نویسنده:  دکتر  (  افشین رشید)

دکترایِ  تخصصی نانو _ میکرو الکترونیک