_ بخش ترانزیستور اَثر میدانی ( قابل برنامه ریزی PUT

عملکرد (ولتاژ گیت) در ترانزیستور‌ اَثر میدانی قابل برنامه ریزی PUT یا (ترانزیستور قابل کنترل)

پژوهشگر و نویسنده:  دکتر  (  افشین رشید)


untit09897865_vhtw.jpg


یکی از ویژگی‌ های PUT در مقایسه با UJT این است که مقاومت در حالت روشن بسیار کمتر است و قسمت (گیت) ترانزیستور می‌ تواند مقادیر پیک جریان بسیار بالاتری را حمل کند. بنابراین می‌ تواند سطوح بالاتری از انرژی تریگر را فراهم کند. مشخصات PUT مشابه UJT است ، تفاوت‌ های عمده این است که جریان نشتی معکوس (گیت به آند) بسیار کمتر است و مقاومت در حالت روشن بودن نیز بسیار کمتر است.

112n216078787878_da7.jpg

مقاومت‌ ها یک  ولتاژ بایاس روی ترمینال گیت PUT ایجاد می‌ کنند. این ولتاژ به ولتاژ تغذیه و مقادیر مربوط بستگی دارد این مقاومت ها نسبت فاصله را برنامه‌ریزی می‌ کنند.وقتی منبع تغذیه متصل است، خازن از طریق مدار شارژ می‌ شود. نرخ شارژ آن توسط ثابت زمانی مدار  یا به اصطلاح RC تعیین می‌ شود.وقتی ولتاژ آند (ولتاژ دو سر خازن) به مقدار ۰.۶ ولت بالاتر از ولتاژ گیت برسد، PUT روشن شده و قفل می‌ شود.وقتی PUT روشن می‌ شود، خازن از طریق PUT و مقاومت ها دشارژ می‌ شود . مقاومت این مسیر دشارژ بسیار کم است، بنابراین زمان دشارژ بسیار کوتاه است.پالس خروجی حاصل، مقدار پیک بالایی با زمان خیزش بسیار سریع خواهد داشت که برای تریگر کردن SCR یا ترایاک ایده‌آل است.وقتی خازن دشارژ می‌ شود و چرخه از سر گرفته می‌ شود، نوسان‌ ساز به حالت خاموش بر می‌ گردد.


untitled-1888_0oun.jpg


همانطور که در بخش ویژگی‌های PUT بحث شد ، ولتاژ گیت توسط تقسیم‌ کننده ولتاژ ثابت می‌ شود و ولتاژ آند مورد نیاز برای روشن کردن PUT، 0.6 ولت بیشتر از این ولتاژ است. ولتاژ آند مورد نیاز برای روشن کردن PUT، ولتاژ نقطه اوج  P است . این مقدار از رابطه زیر تعیین می‌ شود.

پژوهشگر و نویسنده:  دکتر  (  افشین رشید)

دکترایِ  تخصصی نانو _ میکرو الکترونیک