تکثیر ترانزیستورهای نانو لوله ای ماسفت (MOSFET) بر پایه دکترای نانو _ میکرو الکترونیک (دکترای پژوهشی)

پژوهشگر و نویسنده: دکتر (  افشین رشید )

نکته : در علوم الکترونیک ساخت و تکثیر نانو ترانزیستورهای ماسفت (Mosfet)  اساس و پایه ساختن نانو تراشه های الکترونیکی برای وسیله های محاسباتی بوده است 

 استفاده از نانو ترانزیستورهای  ماسفت به خاطر رشدی بود که در کوچک کردن سایز تراشه داشت که در حال حاضر تقریباً به ۰/۱ میکرون رسیده است ولی به خاطر پدیدار شدن اثرهای کوانتمی محدودیت هائی در کاهش بیشتر سایز آنها به وجود آمده است .نانو الکترونیک روشهای جدیدی برای ساختن ترانزیستورها در مقیاسهای کوچک میپردازد که بعد آنها در حد چند ده نانومتر است که این برگرفته از علمی است که به آن نانوتکنولوژی میگویند .برخلاف ماسفت های امروزی که بر پایه حرکت توده ای از الکترونها در ماده رفتار میکنند وسیله های جدید از پدیده های مکانیک کوانتومی در مقیاس نانو پیروی میکنند که دیگر طبیعت گسسته الکترون در آن قابل چشم پوشی نیست .

این وسیله ها را به این سه قسمت تقسیم میکنیم : 

۱) تزانزیستورهای نانو لوله ای کربنی

۲) وسیله های تک الکترونی

۳) وسیله های الکترونیک مولکولی

استفاده از نانوسیم به عنوان میدان نیمه هادی فلزی ‐ اکسید ‐ کانال ترانزیستور اثر (MOSFET) می تواند یک ساختار اطراف یک دروازه را قادر سازد که یک کنترل دروازه الکترواستاتیک عالی را بر روی کانال برای کاهش اثرات کانال کوتاه انجام دهد. که در ساختار نانو مدار ها و اساس و پایه ساختن نانو تراشه های الکترونیکی برای وسیله های محاسباتی بوده است.



ادغام مؤثر نانوسیم ها در فن آوری نیمه هادی فلز اکسید ‐ مکمل مدرن (CMOS) ، به طور خاص در دستگاه های MOSFET ، و برنامه های حافظه غیر فرار نیز مورد استفاده میباشد . با گسترش ساختار MOSFET نانوسیم به یک معماری نانو مدار ، می توان مواد مختلف نیمه هادی جدید را مورد بررسی قرار داد. ثابت شده است که MOSFET های نانوسیم از (نانو ترانزیستور ماسفت) نیمه هادی یک بستر قوی و مفید برای بررسی خصوصیات فیزیکی و الکتریکی مواد جدید است. محدودیت هایی از قبیل اتلاف گرما ، جریان نشتی و مدولاسیون طول کانال تبدیل به یک نگرانی اساسی شده است که به ناچار به کند شدن مقیاس CMOS هنگام نزدیک شدن به بعد اتمی منجر می شود. بنابراین ، نیاز فوری به توسعه فناوری نیمه هادی جدید برای حل مسائل از جمله هزینه ، سرعت ، تراکم ، قابلیت اطمینان و اتلاف انرژی وجود دارد. تلاش های زیادی صورت گرفته است 

نتیجه گیری در تکثیر ترانزیستورهای نانو لوله ای ماسفت (MOSFET) 

مقیاس بندی نانو ترانزیستور اثر metal اکسید metal فلزی field اثر ترانزیستور (MOSFET) با ظهور فن آوری های جدید نانو الکترونیک برای گسترش نیمه هادی فلز ‐ اکسید metal مکمل (CMOS) تا باز شدن گره فناوری همیشه کوچکتر ادامه دارد.

پژوهشگر و نویسنده: دکتر (  افشین رشید )