بَرهمکنش ذرات الکترونیکی در نانو حافظه های مولکولی گرافنی Nano Memory Moulcolar (دکترای نانو _ میکرو الکترونیک)

پژوهشگر و نویسنده:  دکتر  (  افشین رشید)




نکته : بَرهمکنش ذرات الکترونیکی نانو گرافنی جذب شــده که این عمل موجب تغییر هدایت الکتریکی در سطح نانو حافظه های مولکولی گرافنی Nano Memory Moulcolar میشــود. جذب مقدار کم نانو الکترون بــا جنبش مولکولی بسیار کم موجب تغییــر مقاومت نانو  گرافن شــده که این مقاومت متناسب با نانو حافظه های مولکولی گرافنی Nano Memory Moulcolar میباشد. 

نانو حافظه های مولکولی گرافنی خواص الکترونیکی منحصر به فردی را نشان می‌ دهد و ابعاد کم، استحکام ساختاری و عملکرد بالای آن، آن را به عنوان رسانه ذخیره‌ سازی شارژ برای کاربرد های نانو حافظه بسیار امیدوار کننده می‌ سازد. همراه با توسعه دستگاه های کوچک و بزرگ شده، گرافن نانو ساختار به عنوان یک ماده ایده آل ظاهر می شود. نانو حافظه های مولکولی گرافنی یک حافظه به دام انداختن بار غیر فرار جدید با استفاده از کریستال های نانو گرافن ایزوله و توزیع یکنواخت به عنوان دروازه شناور نانو با ظرفیت قابل کنترل و یکنواختی عالی مورد استفاده قرار میگیرد. حافظه به دام انداختن بار نانو گرافن دارای گیت حافظه بزرگ (4.5 ولت) را در ولتاژ عملکرد پایین (8 ولت)، پایداری شیمیایی و حرارتی (1000 درجه سانتیگراد)، و همچنین عملکرد حافظه قابل تنظیم با استفاده از تونل زنی متفاوت نشان می دهد. گرافن ویژگی های نانو الکترونیکی برجسته ، تحرک پذیری الکترونی بسیار بالا و هدایت بی نظیری در مقیاس نانو دارد. رسانای فوق العاده ای است بطوریکه الکترون ها را با سرعت ده برابر بیشتر از سیلیکون منتقل می کند. این ویژگی ها گرافن را به کاندیدای ایده آلی برای کاربرد های نانو الکترونیکی نسل های آتی از قبیل  نانو حافظه های مولکولی گرافنی مبدل کرده است.کارایی ذرات گرافن در محافظت نانو الکترو مغناطیسی تداخلی و تقویت شده با نانو  نوار های  گرافن اصلاح شده اندازه گیری میشود. گرافن های یک لایه ای، دو لایه ای و چند لایه ای وجود دارد. این ماده با داشتن ضخامت کم، سخترین ماده شناخته شده می باشد. گرافن به خاطر اینکه ضخامتی در حد یک اتم دارد بسیار شفاف می باشد و نور را از خود عبور می دهد و رسانایی نانو الکتریکی بالایی دارد.



فناوری های  رایج نانو الکترونیک در نانو حافظه ها  خواسته ها را به سختی فراهم می کند، اما فناوری نانو راه حل هایی بهتر پیشنهاد می کند.یکی از ابزار جدید ذخیره اطلاعات استفاده از نقاط کوانتومی نیکلی در اندازه های نانومتری است که انتظار می رود برای ذخیره کردن ترابایتی داده ها، حتی در منازل و در استفاده های شخصی مورد استفاده قرار گیرد. با توجه به وسایل ذخیره سازی نسبتاً بزرگ (از نظر فیزیکی) که هم اکنون داریم و این واقعیت که در حوزه های مختلف، به اندازه هایی در حدود گیگابایت نیاز داریم، پتانسیل بالایی برای فعالیت در این زمینه وجود دارد.هر نقطه کوانتومی شامل یک توپ مجزا چند صد اتمی است که می تواند یکی از دو حالت مغناطیسی را داشته باشد. این به آن ها اجازه می دهد که یک بیت اطلاعاتی (صفر یا یک) را در بر بگیرند، همان طور که در محاسبات ماشینی عرف است. در دیسک های سخت رایج، بیت های اطلاعاتی باید به اندازه کافی دور از هم قرار گرفته باشند تا تلافی نداشته باشند. نقاط کوانتومی به صورت واحدهای کاملاً مستقلی عمل می کنند که از نظر ساختاری به هم متصل نیستند، بنابراین می توانند تا حدی به یکدیگر نزدیک تر شوند. آن ها می توانند تا تراکم مشخصی آرایش یابند که اجازه می دهد هر نوع اطلاعاتی تا 5 ترابایت در فضایی به اندازه یک تمبر پستی ذخیره گردد. فعالیت ها هم چنان باید ادامه پیدا کند تا زمانی که این نانو نقاط بهتر عمل کنند و با دیگر وسایل محاسباتی از قبیل تراشه های سیلیکونی کار کنند.



نتیجه گیری : 

بَرهمکنش ذرات الکترونیکی نانو گرافنی جذب شــده که این عمل موجب تغییر هدایت الکتریکی در سطح نانو حافظه های مولکولی گرافنی Nano Memory Moulcolar میشــود. جذب مقدار کم نانو الکترون بــا جنبش مولکولی بسیار کم موجب تغییــر مقاومت نانو  گرافن شــده که این مقاومت متناسب با نانو حافظه های مولکولی گرافنی Nano Memory Moulcolar میباشد. 

پژوهشگر و نویسنده:  دکتر  (  افشین رشید)

دکترایِ  تخصصی نانو _ میکرو الکترونیک