بخش (ترانزیستور های nMOS و ترانزیستور های pMOS)
ترانزیستور pMOS در حالت (بایاس معکوس) و حالت (بایاس = بایاس)
پژوهشگر و نویسنده: دکتر ( افشین رشید)
نکته : ترانزیستور اتصال دهنده pMOS یک ترانزیستور NPN است از این رو جمع کننده و ساطع کننده هنگامی که پایه پایه در زمین نگه داشته می شود باز می ماند (بایاس معکوس) و هنگامی که سیگنالی به پایه پایه ارائه می شود بسته می شود (بایاس بایاس).
ترانزیستور اتصال دهنده pMOS دارای مقدار سود h fe 50 است. این مقدار ظرفیت تقویت ترانزیستور را تعیین می کند. حداکثر جریانی که می تواند از طریق پین کالکتور عبور کند 100 میلی آمپر است ، بنابراین نمی توان بارهایی را که بیش از 100 میلی آمپر مصرف می کنند با استفاده از این ترانزیستور متصل کنیم. هنگامی که این ترانزیستور کاملاً فعال عمل کند ، می تواند حداکثر 100 میلی آمپر را در کلکتور و انتشار دهنده جریان دهد. این مرحله منطقه اشباع نامیده می شود . با حذف جریان پایه ترانزیستور کاملاً خاموش می شود ، این مرحله را منطقه قطع می نامند .
ترانزیستور اتصال دهنده pMOS که برای عملیات اتصال دهنده جریان در مدارهای پردازش سیگنال و گیرنده های مخابراتی استفاده شناخته شده است. ترانزیستور به دلیل قدیمی بودن هنوز در بازار موجود است اما ترانزیستورهای مدرن بهتری را می توانید جایگزین ترانزیستور اتصال دهنده pMOS کنید.
موارد کاربرد ترانزیستور اتصال دهنده pMOS در مدار معمولاً برای کاربرد های تقویت کننده سوئیچینگ و فرکانس بسیار بالا (VHF) استفاده می شود. این ماده از مواد سیلیکونی ساخته شده است و مخصوصاً برای کاربردهای تقویت کننده ولتاژ کم ، جریان کم تا متوسط و کم طراحی شده است.ترانزیستور اتصال دهنده pMOS جریان جمع کننده DC مداوم 800mA را فراهم می کند. به این معنی که دارای کلکتور بالا است بنابراین بیشتر در مدار هایی که جریان کم تا متوسط لازم است استفاده می شود. با مقدار فرکانس انتقال بالا 250 مگاهرتز با تاخیر 10 نان NAN ، زمان افزایش 25 میلی ثانیه ، زمان ذخیره سازی 225 میلی ثانیه و زمان سقوط 60 میلی متر کار می کند. استفاده از آن بسیار راحت است.
پژوهشگر و نویسنده: دکتر ( افشین رشید)
دکترایِ تخصصی نانو _ میکرو الکترونیک