بخش (ترانزیستور های nMOS و ترانزیستور های pMOS)
ترانزیستور های nMOS و GaAs ( گالیم آرسناید ) (یک ترانزیستور دو قطبی)
پژوهشگر و نویسنده: دکتر ( افشین رشید)
نکته : ترانزیستور های nMOS و GaAS (گالیم آرسناید) از یک ولتاژ برای اعمال به ترمینال ورودی که گیت (Gate) نامیده می شود، استفاده می کند و جریان گذرنده از آن متناسب با این ولتاژ است.
از آن جایی که عملکرد ترانزیستور های nMOS و GaAS (گالیم آرسناید) مبتنی بر یک میدان الکتریکی حاصل از ولتاژ گیت ورودی است (نام اثر میدان به همین دلیل است)، سبب می شود ترانزیستور اثر میدان، یک قطعه مبتنی بر ولتاژ باشد.ترانزیستور های nMOS و GaAS (گالیم آرسناید)، یک قطعه نیمه هادی تک قطبی است که مشخصات آن بسیار شبیه به ترانزیستور دو قطبی مشابه است. برخی از ویژگی های این قطعه، بازدهی بالا، عملکرد لحظه ای، مقاوم و ارزان بودن است که می توان آن را در اغلب مدار های الکترونیکی با ترانزیستور های پیوندی دو قطبی و از نظر ساختاری مشابه (مانند BJT) جایگزین کرد.
این قطعه الکترونیکی یک ترانزیستور دو قطبی است که در ورودی آن ها از عنصر نیمه هادی ( گالیم آرسناید ) استفاده شده است و در واقع ترکیبی از ترانزیستور های دو قطبی (Mosfet) می باشد و با ترکیب مزایای آن دو یک اِلمان برق صنعتی با سرعت سوئیچ بالا و جریان ورودی کم خلق شده است. ترانزیستور های nMOS و GaAs ( گالیم آرسناید ) قادرند که به مراتب سریعتر قطع و وصل کنند لیکن تلفات هدایت آنها بیشتر است . ترانزیستور های nMOS و GaAs ( گالیم آرسناید ) یک ترانزیستوری است که مزایایBGT و MOSFET را با هم دارد مثل : امپدانس ورودی بالا مثل MOSFET که باعث می شود که با انرژی کمی به حالت وصل سوئیچ می گردد.(افت ولتاژ و تلفات کم مانندBJT ) نظیر BJT ها دارای ولتاژ حالت روشن (وصل )کوچکی است.در ترانزیستور های nMOS تقویت جریان بسته به جهت میدان الکتریکی متفاوت است و به زمینه های الکتریکی با اندازه های متفاوت پاسخ می دهد. این منجر به رفتار الکترونیکی مفیدی می شود که بسته به این که چگونه ولتاژ (یا میدان الکترونیکی ) اعمال شود ، این امر در ترانزیستور nMOS (بایاس) نامیده می شود.
پژوهشگر و نویسنده: دکتر ( افشین رشید)
دکترایِ تخصصی نانو _ میکرو الکترونیک