آیسی حافظه UV-EPROM (حافظه قابل برنامه ریزی و مقاوم در برابر در برابر سوء استفاده ) تلفظ صحیح: یو - وی (ای _ پرام)
پژوهشگر و نویسنده: دکتر ( افشین رشید)
نکته: آیسی حافظه UV-EPROM برای پاک سازی برنامه قبلی و برنامه ریزی دوباره از نور UV با دستگاه مخصوص پروگرامر استفاده میکند. این آیسی حافظه حافظه قابل برنامه ریزی و مقاوم در برابر در برابر سوء استفاده احتمالی از محتویات و برنامه های داخل آن میباشد.
UV-EPROM از همان اصل EPROM استفاده می کند. الکترون هایی که در یک دروازه شناور به دام افتاده اند، ویژگی‌های سلول را تغییر می دهند، بنابراین به جای آن منطق «0» یا منطق «1» ذخیره می شود.UV-EPROM دستگاه ها و چیپ های حافظه ای است که کمترین استاندارد ها را در طراحی سلول اجرا می کند. اکثر سلول های رایج از دو ترانزیستور تشکیل شده اند. در این ترانزیستور ذخیره سازی دارای یک دروازه شناور است که الکترون ها را به دام می اندازد. جدا از آن یک ترانزیستور دسترسی وجود دارد که در عملیات استفاده می شود. در UV-EPROM، سلول زمانی که الکترون ها از دروازه شناور خارج می شوند، پاک می شود، در حالی که در EPROM، زمانی که الکترون ها در سلول شناور به دام افتاده باشند، سلول پاک می شود.
در UV-EPROM می توانیم آی سی را چندین بار بنویسیم و برنامه ریزی کنیم و اینها به عنوان EPROM (ROM برنامه نویسی قابل پاک سازی UV) عمل می کنند.با این حال، زمانی که نیاز است یک برنامه یا اطلاعات یا داده جدید روی آن نوشته شود، لازم نیست UV-EPROM از رایانه یا دستگاه الکترونیکی که بخشی از آن است خارج شود. سفارشی سازی و برنامه ریزی خاص ممکن است برای یک تراشه UV-EPROM در همان حالت انجام بگیرد.برای نوشتن و پاک کردن داده ها در UV-EPROM به دستگاه خاصی نیاز داریم که به نام برنامه نویس PROM شناخته می شود. فرآیند برنامه نویسی یک UV-EPROM اغلب BURNING یا (رایت) نامیده می شود و جعبه ای که برای برنامه ریزی آن به آن وصل شده است رایتر UV-EPROM می نامند.داده های EPROM را می توان چند بار پاک کرد زیرا پاک کردن بیش از حد به لایه دی اکسید سیلیکون آسیب می رساند و استفاده از تراشه را غیر قابل اعتماد می کند. فرآیند برنامه نویسی در UV-EPROM از نظر الکتریکی قابل برگشت نیست.
- پژوهشگر و نویسنده: دکتر ( افشین رشید)
دکترایِ تخصصی نانو _ میکرو الکترونیک