نانو ترانزیستور های FinFET و نانو لوله های رسانا CNTs (ساختار و ساختمان داخلی) بر پایه دکترای نانو_ میکرو الکترونیک (دکترای آموزشی _ پژوهشی)
پژوهشگر و نویسنده: دکتر ( افشین رشید )
نکته: از آنجا که نانو ترانزیستور هایFinFEET در برای رسیدن به ، یک جریان تخلیه بزرگتر در نانو ترانزیستور ،عرض کانال با توجه به ارتفاع و همچنین ضخامت ، که لایه های نانو CNTs آن را در محدوده کوچکتر نگه میدارد.
نانو ترانزیستور های FinFEET یک نانو ترانزیستور اثر میدانی نیمه هادی فلزی-اکسید-نیمه هادی ) که روی یک بستر ساخته شده است .که دروازه در دو ، سه یا چهار طرف کانال قرار دارد یا پیچیده شده است. کانال ، یک ساختار دروازه دوتایی را تشکیل می دهد. به این وسیله ها نام عمومی "finfets" داده شده است زیرا منطقه منبع / تخلیه باله هایی روی سطح سیلیکون تشکیل می دهد. دستگاه های FinFET نسبت به فناوری مسطح و با استفاده در ساختار از نانو سیم ها Nano wire و (مکمل فلزی اکسید و نیمه هادی) به طور قابل توجهی سریعتر سوئیچینگ و چگالی جریان بیشتری دارند .
با توجه به کاهش مقیاس قطعات نیمه هادی و مدارات مجتمع تا میزان محدوده نانومتر، در نانو ترانزیستور FinFET کاهش مقیاس موجب اثرات بیشتر کانال کوتاه، کنترل کمتر گیت، افزایش نمایی جریان های نشتی، تغییرات شدید فرآیند و چگالی های توان غیرقابل مدیریت میشود.اتصال بین نانو لوله های کربنی و فلزی که برای اتصال سورس و درین استفاده شده، در یک نانو ترانزیستور FinFET سد شاتکی (SB) را تشکیل میدهد. به وجود آمدن سدهای شاتکی در قسمت سورس و درین یک ترانزیستور باعث کاهش قابل ملاحظه ای در جریان درین نانو ترانزیستور های FinFET میشوند. بنابراین، برای کارایی عملیاتی بالاتر قطعات نانو ترانزیستور های Finfet ،فلزهای مناسبی نیاز است که بتوانند در محل اتصال سورس و درین نانو ترانزیستور استفاده شده و اتصال اهمی ایجاد کند.
نتیجه گیری:
قابلیت نانو لوله های کربن برای استفاده در نانو ترانزیستورهای FinFET از توخالی بودن و بالا بودن سطح تماس آنها است. این سطح تماس متشکل از دیواره خارجی نانو لوله و قسمت های خالی میانی آن می باشد. در نانو ترانزیستورهای FinFET زمانی که میدان الکتریکی اعمال شود ، نانولوله کربنی که بین سورس و درین قرار دارد شامل بار متحرک می شود. چگالی این بار ها برای سورس است و این چگالی را توسط اتقال الکتریکی در نانو لوله های چند لایه برای درین هم احتمال توزیع فرمی دیراک وجود دارد.
پژوهشگر و نویسنده: دکتر ( افشین رشید )