🔬 آز مدارهای اِلکترونیکی

آز مدار اِلکتریکی (ولتاژبندی یا Reverse bias  ترانزیستور)

پژوهشگر و نویسنده:  دکتر  (  افشین رشید)


نکته :وقتی در مدار اشاره به محاسبه امپدانس می کنیم عملا فرض کرده ایم که این محاسبات مربوط به تحلیل AC یا همان تحلیل سیگنال کوچک است.

 در یک تقویت کننده ولتاژ ایده آل، امپدانس ورودی برابر با بی نهایت و امپدانس خروجی برابر با صفر است. اما در مدار های عملی ما از امپدانس های ایده آل مزبور فاصله داریم. اگر در تحلیل ac امیتر زمین شده باشد در آن صورت امپدانس دیده شده از r است. و کلکتور برابر با ac بیس زمین شده باشد در آن صورت امپدانس دیده شده از امیتر برابر با gm/1 است.به طور متفاوت ، ترانزیستور یک جزء سه ترمینال است ، که می تواند به عنوان یک شبکه دو پورت با یک پورت ورودی و یک پورت خروجی در نظر گرفته شود ، هر یک توسط دو سه سه پایانه تشکیل می شود و با روابط هر دو ورودی و مشخص می شود. جریان و ولتاژ خروجی.بسته به اینکه کدام یک از سه پایانه به عنوان ترمینال مشترک مورد استفاده قرار می گیرد .



به دو دلیل ترانزیستور باید (بایاس) شود:

ترانزیستور حتما بایستی در ناحیه فعال کار کند.مقدار پارامترهای سیگنال کوچک (ro,gm) به مقدار جریان dc گذرنده از ترانزیستور بستگی  دارد. همیشه ابتدا تحلیل DC انجام می دهیم تا به تبع آن نقطه کار ترانزیستور مشخص شود و بتوانیم پارامترهای سیگنال کوچک را محاسبه کنیم. سپس منابع DC را صفر کرده و با استفاده از مدل سیگنال کوچک تحلیل AC را  آغاز می کنیم.یکی از ویژگی های مهم بایاس ترانزیستور در مدار بالا این است که همواره پتانسیل (کلکتور) از ( بیس) بیش تر است بنابراین ترانزیستور همواره در ناحیه فعال قرار خواهد گرفت.

  • یک یادآوری ابتدایی از  مدار عملی ( ولتاژبندی یا Reverse bias  ترانزیستور)

  • در ترانزیستور های nMOS  تقویت جریان بسته به جهت میدان الکتریکی متفاوت است و به زمینه های الکتریکی با اندازه های متفاوت پاسخ می دهد. این منجر به رفتار الکترونیکی مفیدی می شود که بسته به این که چگونه ولتاژ (یا میدان الکترونیکی ) اعمال شود ، این امر در ترانزیستور nMOS (بایاس) نامیده می شود.

  • پژوهشگر و نویسنده:  دکتر  (  افشین رشید)

    دکترایِ  تخصصی نانو _ میکرو الکترونیک