بایاس معکوس در ترانزیستور های dip (بدون اثر میدانی) مهندسی برق _ الکترونیک
پژوهشگر و نویسنده: دکتر ( افشین رشید )
نکته : در ترانزیستور های Dip (بدون اثر میدانی) اتصال بین کلکتور و بیس با ولتاژ زیاد بــه صورت (معکوس بایاس) صورت میگیرد .در این صورت الکترون هــا جریــان الکتریکی از نیمه هادی نــوع N به نیمه هادی نوع P وارد می شوند تا مسیر جریان را ببندند.
از طرفی چون ناخالصــی نیمه هادی نوع P خیلی کم اســت ، الکترون ها در نیمه هادی نــوع P با حفره ها ترکیب نمی شــوند . هم چنین هنگام ســاخت ترانزیســتورهای (بدون اثر میدانی) ،در ساختمان داخلی ترانزیستور لایه ی بیس را بســیار نازک در نظر میگیرنــد به طوری که الکترون ها به آســانی وبا نیروی کم میتوانند از آن عبور کنند. چون پتانســیل لایه ی کلکتور مثبت اســت و دامنه آن نیز در مقایســه با پتانســیل بیس بسیار زیاد اســت، 95 درصد الکترون های مربوط به مســیر جریان امیتر _ بیس به راحتی جذب الیه ی کلکتور می شوند و جریان کلکتور را به وجود می آورند. جریان کلکتور از مقاومــت 1KΩ عبور می کند ، 5 درصد جریان باقی مانده از بیس عبور می کند ومدار ورودی را می بندد.
بنابراین بایاس معکوس در ترانزیســتور جریانی را که به واســطه یک مقاومت کم در یک مدار تولید شده است را مــی تواند از مدار دیگری با مقاومت بیش تر عبور دهد. نام ترانزیســتور نیز از همین عملکرد انتخاب شده است.اگــر جریــان بیس به اندازه یــک میلی آمپــر تغییر کند ، تغییــرات جریان در کلکتور ممکن اســت بــه 100 میلی آمپر برســد، بعضی از مشــخصات یک ترانزیســتور، به شدت تابع حرارت اســت ، یعنی بــا تغییر حرارت برخی از مشــخصات ترانزیســتور تغییر می کند. روابط بین شــدت جریــان و ولتاژ اختــلاف پتانســیل و تغییــرات آن ها در یک ترانزیســتور بســتگی به حرارت دارد.
پژوهشگر و نویسنده: دکتر ( افشین رشید )