بخش سیستم های (نانو و میکرو اِلکترومکانیکال MEMS)
مر حله 2 : (مقاومـت نــوری) / ( Nano photoresist)
پژوهشگر و نویسنده: دکتر ( افشین رشید)
نکته : (Nano photoresist) : یــک مقاومت نوری ماده حساس به نـور ) در سـطح دیاکسید سیلیکون استفاده می شـود . ایـن عمـل مـیتواند به وسیله چرخاندن روکش مقاومت نوری معلـق در یک حلال انجام شود . نتیجه بعـد از چرخیـدن و بیرون آوردن حلال یک مقاومت نوری با ضخامت 2/0 تا 2 میکـرون اسـت . مقاومـت نـوری سـپس بـرای بیرون آوردن حلالها از درون آن کـاملا پختـه و نـرم است.
با رویکرد تکنولوژی (نانو و میکرو اِلکترومکانیکال MEMS) به سمت تجمع مدارات الکترونیک نوری، مشکلات ساخت و پدیده هایی که به جلوگیری از فشرده سازی بیشتر ساختار کمک می کرد، باعث شد تا استفاده از ساختارهای (مقاومـت نــوری) / ( Nano photoresist) و امواج پلاسمونیک مورد بررسی و استفاده قرار بگیرد. این نانو ساختار ها متشکل از فلز و دی الکتریک می باشد که ابعاد آنها زیر طول موج تحریکی ( طول موج پرتویی که باعث تحریک امواج (مقاومـت نــوری) / ( Nano photoresist) می شود) قرار دارد.(نانو و میکرو اِلکترومکانیکال MEMS) بر اساس فرآیند برهم کنش بین امواج الکترومغناطیسی و الکترون های رسانش در فلزات با ابعاد نانو بیان شده است.به صورت تحلیلی دلیل افت سریع انرژی الکترون ها در عبور از فلزات میباشد و نتیجه گرفت این انرژی صرف حرکت تجمعی و نوسان گونه الکترون های آزاد فلز می شود. دلیل این نام گذاری شباهت این نوسانات الکترون ها با نوسان های ذرات محیط (نانو و میکرو اِلکترومکانیکال MEMS) هماهنگ میباشد.
به اصطلاح عبارت (مقاومـت نــوری) / ( Nano photoresist) را برای نوسان الکترون های مقید فلز در حالت جفت شدگی با فونون های پرتو فرودی به کار میرود. نام (مقاومـت نــوری) / ( Nano photoresist) برای شبه ذراتی که نیم ماده و نیم فوتون بودند، بکار گرفته شد که حالت تزویج شده بین یک فوتون پرتو تحریک کننده ابتدایی و الکترون های رسانش فلز است و اصطلاح (مقاومـت نــوری) / ( Nano photoresist) برای بیان علت تزویج شده بین یک فوتون و یک (نانو و میکرو اِلکترومکانیکال MEMS) است.
نتیجه گیری :
با رویکرد تکنولوژی (نانو و میکرو اِلکترومکانیکال MEMS) به سمت تجمع مدارات الکترونیک نوری، مشکلات ساخت و پدیده هایی که به جلوگیری از فشرده سازی بیشتر ساختار کمک می کرد، باعث شد تا استفاده از ساختارهای (مقاومـت نــوری) / ( Nano photoresist) و(نانو و میکرو اِلکترومکانیکال MEMS) مورد بررسی و استفاده قرار بگیرد. این نانو ساختار ها متشکل از فلز و دی الکتریک می باشد که ابعاد آنها زیر طول موج تحریکی ( طول موج پرتویی که باعث تحریک امواج (مقاومـت نــوری) / ( Nano photoresist) می شود) قرار دارد.
پژوهشگر و نویسنده: دکتر ( افشین رشید)
دکترایِ تخصصی نانو _ میکرو الکترونیک