نانو سیم های سیلیکونی یکی از بهترین مثالها برای نانو ساختار های نیمه هادی هستند (دکترای نانو _ میکرو الکترونیک)
پژوهشگر و نویسنده: دکتر ( افشین رشید)
نکته: نانو سیم های سیلیکونی یکی از بهترین مثالها برای نانو ساختار های نیمه هادی هستند که می توانند به صورت تک بلور با قطر کومک به اندازه 9 تا 0 نانومتر ساخته شوند.
نانو سیم ها (SiNWs ) دارای تحرک و نسبت سطح به حجم بالا هستند و همین امر موجب میشود که بتوان به راحتی آنها را با استفاده از یک میدان الکتریکی ضعیف کنترل کرد.فرآیند های صورت گرفته تکثیر نانو سیم ها بر روی ویفر های سیلیکونی Silicone wafer باعث می شود آرایه های Si Nanowire تولید مثل و یکنواخت تر شود ، و اجازه دهد که خواص نانو سیم ها تنظیم شود.فرایند تکثیر نانو سیم ها همیشه شامل رسوب یک فلز و پیوند در محلول حاوی اسید هیدروفلوئوریک (HF) و یک اکسید کننده است. سیلیکون فقط در جائیکه نانو ذرات فلزی سیلیکون را لمس می کنند ، حاصل می شود ، در نتیجه واکنش های الکتروشیمیایی همراه با واسطه نانو ذرات هر چه سیلیکون حامل شد ، نانو ذرات به درون نانو ذرات حاصل حرکت می کنند. از آنجا که سیلیکون فقط به صورت محلی طاق شده است ، این فرایند می تواند منجر به ویژگی هایی با نسبت ابعاد بسیار بالا در نانو سیم ها شود.
نانو سیم ها نانو ساختارهای شبه دی الکترونیک با نسبت ابعاد بالا و مساحت بزرگ هستند ، که در آن یکنواختی کرنش شعاعی امکان ترکیبات غیرقابل استفاده از مواد نیمه هادی را فراهم می کند. کاربرد های بی شماری از نانو سیم ها را در الکترونیک ، نوری و فن آوری های کوانتومی به طور کلی امکان پذیر می کند.ماهیت الکترومغناطیسى نانو ذرات در مواد مغناطیسى، مولکولها و اتم هاى سازنده ى آن خاصیت الکترومغناطیسى دارند. به بیان ساده تر عناصرى مانند آهن، کبالت، نیکل و آلیاژهاى آنها که توسط آهنربا جذب میگردد. مواد مغناطیسى نامیده میشود.طبقه بندى مواد الکترو مغناطیسى بر اساس پذیرفتارى مغناطیسى (قابلیت مغناطیسى شدن ماده ) انجام میشود. بر این اساس مواد را به سه گروه فرومغناطیس، پارامغناطیس و دیامغناطیس دسته بندى میکنند. برایند گشتاور دو قطبى در مواد دیامغناطیس الکترومغناطیسى صفر است و در حضور میدان مغناطیسى، گشتاور دو قطبى در آنها القا میشود؛ اما جهت این دو قطبى هاى القا شده برخلاف جهت میدان مغناطیسى خارجى است که باعث میشود ماده ى (دیامغناطیس) از میدان مغناطیسى دفع شود. با حذف میدان مغناطیسى خارجى، خاصیت مغناطیسى این مواد باقى نمیماند. پذیرفتارى مغناطیسى این مواد منفى و خیلى کم (در حدود 6-10 -تا 3-10 ) میباشد. تمام گازها (جز اکسیژن) ، آب، نقره، طلا، مس ، الماس ، گرافیت ، بیسموت و بسیارى از ترکیب هاى آلى (دیامغناطیس) هستند. دو قطبى هاى مغناطیسى در ماده ى پارامغناطیس، داراى سمتگیرى مشخص و منظمى نیستند؛ در نتیجه این مواد خاصیت مغناطیسى ندارند. اگر آنها درون یک میدان مغناطیسى قرار داده شوند، در راستاى خط هاى میدان مغناطیسى منظم میشوند. با حذف میدان مغناطیسى، دوقطبى هاى مغناطیسى دوباره به سرعت به وضعیت قبلى که در غیاب میدان داشتند، بر میگردند. به این ترتیب، مواد پارامغناطیس در میدانهاى نانو الکترو مغناطیسى قوى خاصیت مغناطیسى پیدا میکنند.
نتیجه گیری :
نانو سیم های سیلیکونی یکی از بهترین مثالها برای نانو ساختار های نیمه هادی هستند که می توانند به صورت تک بلور با قطر کومک به اندازه 9 تا 0 نانومتر ساخته شوند.
پژوهشگر و نویسنده: دکتر ( افشین رشید)
دکترایِ تخصصی نانو _ میکرو الکترونیک