(ترانزیستور ماسفِت)
واکنش و عملکرد ترانزیستور MOSFET در جریان ورودی بالا High voltage
پژوهشگر و نویسنده: دکتر ( افشین رشید )
نکته : ماسفت ها در ناحیه هدایت خود جریان را عبور می دهند که «کانال» (Channel) نامیده می شود. با اعمال ولتاژ مناسب به گیت، می‌توان این کانال هدایت را بزرگ تر یا کوچک تر کرد. اعمال این ولتاژ گیت به ترانزیستور، بر مشخصه الکتریکی کانال اثر خواهد گذاشت و یک میدان الکتریکی حول پایه گیت القا می کند. به همین دلیل است که این ترانزیستور، اثر میدان نامیده می شود.
ترانزیستور ماسفت mosfet حداقل ولتاژی را که لازم است بین گیت ــ سورس برای (راه اندازی) اعمال شود تا جریان درین برقرار گردد، ولتاژ آستانه شدن ترانزیستور ماسفت میگویند در ترانزیستور ماسفت MOSFET از همین روی، وقتی گیت به عنوان ورودی این ترانزیستور در نظر گرفته می شود، هیچ اثر بارگذاری بر روی طبقات قبلی خود در مدار نمی گذارد و ترانزیستور در این حالت امپدانس ورودی بسیار بالایی دارد. عمده تفاوت ماسفت با ترانزیستور JFET در این است که گیت ترانزیستور های ماسفت MOSFET توسط لایه ای از اکسید سیلیسیوم (SiO2) از کانال مجزا شده است.
MOSFET ها تقریباً رایج ترین ترانزیستور در مدار های دیجیتالی است ، زیرا صد ها هزار یا میلیون ها عدد از آنها ممکن است در یک تراشه حافظه یا ریز پردازنده گنجانده شوند. از آنجا که می توان آنها را از نوع نیمه هادی از نوع p یا نوع n ساخت ، از جفت های مکمل ترانزیستور MOS می توان برای ساخت مدار های سوئیچینگ با مصرف انرژی بسیار کمی ، به شکل منطقی CMOS استفاده کرد.MOSFET ها به دلیل داشتن امپدانس ورودی تقریباً نامتناهی در آمپلی فایرها بسیار مفید هستند که به آمپلی فایر اجازه می دهد تقریباً تمام سیگنال های ورودی را ضبط کند. مزیت اصلی این است که برای کنترل جریان بار ، در مقایسه با ترانزیستورهای دو قطبی ، تقریباً هیچ جریان ورودی نیاز ندارد
پژوهشگر و نویسنده: دکتر ( افشین رشید)
دکترایِ تخصصی نانو _ میکرو الکترونیک