_ بخش (ترانزیستور های اَثر میدانی)
یک تشریح جالب از ساختار (ترانزیستور های اَثر میدانی)
پژوهشگر و نویسنده: دکتر ( افشین رشید)
_pz1i.gif)
نکته : ماسفت ها در ناحیه هدایت خود جریان را عبور می دهند که «کانال» (Channel) نامیده می شود. با اعمال ولتاژ مناسب به گیت، می توان این کانال هدایت را بزرگ تر یا کوچک تر کرد. اعمال این ولتاژ گیت به ترانزیستور، بر مشخصه الکتریکی کانال اثر خواهد گذاشت و یک میدان الکتریکی حول پایه گیت القا می کند. به همین دلیل است که این ترانزیستور، اثر میدان نامیده می شود.
ترانزیستور MOSFET هسته ای از مدار های یکپارچه است و به دلیل همین اندازه های بسیار کوچک می توان آن را در یک تراشه واحد طراحی و ساخت. MOSFET چهار دستگاه ترمینال با پایانه های منبع (S) ، دروازه (G) ، تخلیه (D) و بدنه (B) است.
_wswe.gif)
بدنه MOSFET اغلب به ترمینال منبع وصل می شود ، بنابراین آن را به یک دستگاه سه ترمینال مانند ترانزیستور جلوه میدان تبدیل می کند. MOSFET در بسیاری از مدارات الکترونیکی مورد استفاده قرار میگیرد. و مرسوم ترین نوع ترانزیستور است و قابل استفاده در هر دو مدار آنالوگ و دیجیتال است.در مدار های گسترده ، یک ترانزیستور MOSFET به ما اجازه می دهد تا از ولتاژ نسبتاً کم در ساخت دروازه (Gate) استفاده کنیم تا جریان از تخلیه به منبع را تعدیل کنیم. دو نوع اساسی از MOSFET ها برای ساخت مدار های گسسته می شود.
_yy2s.gif)
ترانزیستور MOSFET یک وسیله نیمه هادی است که برای تعویض و تقویت سیگنال های الکترونیکی در دستگاه های الکترونیکی کاربرد گسترده ای در مدارات متفاوت برقی _ الکترونیکی را دارد.ترانزیستور اثر میدان نیمه رسانای اکسید فلز» (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) یا ماسفت MOSFET ، یک گزینه عالی برای تقویت کننده های خطی سیگنال کوچک است، زیرا امپدانس ورودی آن بسیار زیاد است که بایاس آن را ساده می کند. برای اینکه یک ماسفت، خاصیت تقویت کنندگی خطی داشته باشد، برخلاف ترانزیستور دو قطبی، باید در ناحیه اشباع کار کند. اما، مانند ترانزیستور دو قطبی باید حول یک نقطه کار ثابت مرکزی بایاس شود.
پژوهشگر و نویسنده: دکتر ( افشین رشید)
دکترایِ تخصصی نانو _ میکرو الکترونیک