_ بخش ترانزیستور اَثر میدانی ( قابل برنامه ریزی PUT)
ساختار و ساختمان داخلی ترانزیستور اَثر میدانی قابل برنامه ریزی PUT (ترانزیستور قابل کنترل)
پژوهشگر و نویسنده: دکتر ( افشین رشید)
یک PUT شبیه به یک SCR کوچک است و به همان روش عمل می کند. تا زمانی که تحریک نشود، جریان را مسدود می کند. وقتی تحریک شود، اگر جریان به اندازه کافی بالا باشد، وصل می شود و تا زمانی که جریان آند از جریان نگهدارنده کمتر شود، روشن می ماند.برای فعال کردن PUT و قرار دادن آن در حالت روشن، جریان از آند به گیت منتقل می شود، بنابراین پیوند آند-گیت باید بایاس مستقیم داشته باشد و پتانسیل آند 0.6 ولت بیشتر از گیت باشد.
یکی از ویژگی های PUT در مقایسه با UJT این است که مقاومت در حالت روشن بسیار کمتر است و می تواند مقادیر پیک جریان بسیار بالاتری را حمل کند. بنابراین می تواند سطوح بالاتری از انرژی تریگر را فراهم کند. مشخصات PUT مشابه UJT است ، تفاوت های عمده این است که جریان نشتی معکوس (گیت به آند) بسیار کمتر است و مقاومت در حالت روشن بودن نیز بسیار کمتر است.
عملکرد نوسان ساز ترانزیستور تک پیوندی قابل برنامه ریزی
نوسان ساز PUT به شیوه ای مشابه نوسان‌ساز UJT عمل می کند. عملکرد آن را می توان به صورت زیر خلاصه کرد :
مقاومت ها یک ولتاژ بایاس روی ترمینال گیت PUT ایجاد می کنند. این ولتاژ به ولتاژ تغذیه و مقادیر مربوط بستگی دارد این مقاومت ها نسبت فاصله را برنامه‌ریزی می کنند.وقتی منبع تغذیه متصل است، خازن از طریق مدار شارژ می شود. نرخ شارژ آن توسط ثابت زمانی مدار یا به اصطلاح RC تعیین می شود.وقتی ولتاژ آند (ولتاژ دو سر خازن) به مقدار ۰.۶ ولت بالاتر از ولتاژ گیت برسد، PUT روشن شده و قفل می شود.وقتی PUT روشن می شود، خازن از طریق PUT و مقاومت ها دشارژ می شود . مقاومت این مسیر دشارژ بسیار کم است، بنابراین زمان دشارژ بسیار کوتاه است.پالس خروجی حاصل، مقدار پیک بالایی با زمان خیزش بسیار سریع خواهد داشت که برای تریگر کردن SCR یا ترایاک ایده‌آل است.وقتی خازن دشارژ می شود و چرخه از سر گرفته می شود، نوسان‌ساز به حالت خاموش بر می گردد.همانطور که در بخش ویژگی‌های PUT بحث شد ، ولتاژ گیت توسط تقسیم کننده ولتاژ ثابت می شود و ولتاژ آند مورد نیاز برای روشن کردن PUT، 0.6 ولت بیشتر از این ولتاژ است. ولتاژ آند مورد نیاز برای روشن کردن PUT، ولتاژ نقطه اوج V P است . این مقدار از رابطه زیر تعیین می شود.
پژوهشگر و نویسنده: دکتر ( افشین رشید)
دکترایِ تخصصی نانو _ میکرو الکترونیک