بخش (ترانزیستور های nMOS و ترانزیستور های pMOS)

ترانزیستور nMOS (دارای ناحیه مقاومت منفی) و قابلیت کنترل ولتاژ

پژوهشگر و نویسنده:  دکتر  (  افشین رشید)


نکته: ترانزیستور nMOS یا قابل برنامه ریزی، از چهار قطعه نیمه هادی نوع P وN تشــکیل شده است . پایه های یک ترانزیستور nMOS را ، آند ، گیت و کاتد می نامند.

این عنصر نیــز ماننــد ترانزیستور UJT دارای ناحیه مقاومت منفی است . از این رو میتوانیم آن را در اسیالتورها یا مدارهایی فرمان تریستور به کار ببریم. انتخاب نام nMOS ،که به معنی UJT قابل برنامه ریزی اســت به دلیل قابل کنترل بودن مقدار ولتاژ انتخاب شــده است زیرا در ترانزیستورnMOS ، مقــدار  ولتاژ را می توان به مقــدار دلخواه برنامه ریزی یا تنظیم کرد.ترانزیستورnMOS یک ترانزیستور قابل کنترل اســت ، لذا می توانیم با استفاده از آن ولتاژ را به مقدار دلخواه تنظیم کنیم.



از عنصــر nMOS در مدارهایــی مانند اســیلاتور ، تایمر به فراوانی اســتفاده میشــود.ترانزیستورnMOS ساختاری چهار لایه درست مثل توریستورها دارد و سه ترمینال به نام های آند (A) ، کاتد (K) و دروازه (G) دوباره مانند تریستور ها دارد.این ترانزیستور را قابل برنامه ریزی می نامند فقط به این دلیل که خصوصیات و پارامتر های آن شباهت زیادی با ترانزیستور های یک کاره دارد. این برنامه ریزی است.

ترانزیستورnMOS ها به دلیل داشتن امپدانس ورودی تقریباً نامتناهی در آمپلی فایرها بسیار مفید هستند که به آمپلی فایر اجازه می دهد تقریباً تمام سیگنال های ورودی را ضبط کند. مزیت اصلی این است که برای کنترل جریان بار ، در مقایسه با ترانزیستورهای دو قطبی ، تقریباً هیچ جریان ورودی نیاز ندارد.ترانزیستور اثر میدان (nMOS) را با سه پایه به نام ‌های گِیت gate ، دِرِین (Drain)، و سورس (Source) در نظر می ‌گیرند. در این ترانزیستور، گیت (پایهٔ کنترلی)، جریانی نمی‌ کشد، و چنان‌که از نام ترانزیستور پیداست، تنها با اعمال ولتاژ و ایجاد میدان الکتریکی درون نیمه رسانا، جریان عبوری از nMOS کنترل می‌شود. از همین روی، وقتی گیت به عنوان ورودی این ترانزیستور در نظر گرفته می‌ شود، هیچ اثر بارگذاری بر روی طبقات قبلی خود در مدار نمی‌ گذارد و ترانزیستور در این حالت امپدانس ورودی بسیار بالایی دارد. عمده تفاوت ماسفت با ترانزیستورهای دیگر در این است که گیت ترانزیستور های ماس‌فِت توسط لایه‌ای از اکسید سیلیسیوم (SiO2) از کانال مجزا شده‌ است. 

پژوهشگر و نویسنده:  دکتر  (  افشین رشید)

دکترایِ  تخصصی نانو _ میکرو الکترونیک