( خازن شناسی Capacitor )
خازن های نیوبیوم Niobium Oxide 
پژوهشگر و نویسنده:  دکتر  (  افشین رشید)




نکته: خازن های نیوبیوم شامل انبوهی از مواد اکسید الکترولیتی هستند که در اطراف یک سیم تشکیل می شوند. این ماده متخلخل برای تشکیل دی الکتریک تحت اکسیداسیون قرار می گیرد.
دی الکتریک های مبتنی بر نیوبیوم نسبت به اجزای تانتالوم دارای مقاومت نسبی بالاتری هستند اما برای ضریب ولتاژ خاص به ضخامت دی الکتریک نیاز دارند. خازن اکسید نیوبیوم حاوی یک لایه از Nb2O5 است که در اطراف دانه های NbO (مونوکسید نیوبیوم) به عنوان دی الکتریک تشکیل می شود. خازنهای اکسید نیوبیوم با گذشت زمان از خازن پایدار ، جریان نشتی و پارامترهای ESR برخوردار هستند. این بدان معناست که عملکرد و عملکرد هر دو قابل اعتماد و پایدار هستند. آنها همچنین هیچ اثر پیزویی ندارند و هیچگونه وابستگی به ولتاژ ندارند ، بنابراین آنها را در مدار های کوپلینگ مناسب می سازند.

خازن های Niobium Oxide  دارای اکسید نیوبیوم به عنوان ماده اصلی الکترود آند برای کاربردهای عمومی هستند. اکسید نیوبیوم انرژی احتراق بسیار بالاتری (200 برابر) و میزان سوختن بسیار کمتری نسبت به مواد فلزی خالص مانند Tantalum یا Niobium دارد. این ویژگی بدین معنی است که خازن های سرامیکی چند لایه تا ولتاژ  آستانه طبقه نمی سوزند. خازن های الکترولیتی نیوبیوم اجزای الکترونیکی منفعل و اعضای خانواده خازن های الکترولیتی هستند‌.خازن های Niobium به عنوان خازن های تراشه SMD در دسترس هستند و در رده بندی های خاص ولتاژ و خازن با خازن های تراشه تانتالیوم رقابت می کنند . آنها با یک الکترولیت دی اکسید منگنز جامد در دسترس هستند .خازنهای نیوبیوم با استفاده از اصول تولیدی ، قطبی شده اند و فقط در قطب صحیح فقط با ولتاژ DC قابل استفاده هستند. ولتاژ معکوس یا جریان موج دار بالاتر از مقدار مشخص شده می تواند دی الکتریک و در نتیجه خازن را از بین ببرد. تخریب دی الکتریک ممکن است عواقب فاجعه آمیز داشته باشد. تولید کنندگان برای طراحی ایمن خازن های نیوبیوم ، قوانین طراحی مدار ویژه را تعیین می کنند.


نحوه تست : 

خازنی که open باشد سالم است ؛ مولتی متر را در رنج اهم قرار میدهیم ؛ دو سر پروب های‌مولتی متر را به دو سر خازن اتصال میدهیم.اعداد روی صفحه مولتی متر شروع به افزایش میکند و ادامه دارد ؛ در این صورت خازن نیوبیوم Niobium Oxide  سالم میباشد.

پژوهشگر و نویسنده:  دکتر  (  افشین رشید)

دکترایِ  تخصصی نانو _ میکرو الکترونیک