(نانو الکترونیک مولکولی)

نانو الکترونیک مولکولی و نانو حافظه های مولکولی گرافنی یک حافظه به دام انداختن بار غیر فرار جدید با استفاده از کریستال های نانو گرافن ایزوله و توزیع یکنواخت به عنوان دروازه شناور نانو

پژوهشگر و نویسنده:  دکتر  (  افشین رشید)


نکته : نانو حافظه های مولکولی گرافنی یک حافظه به دام انداختن بار غیر فرار جدید با استفاده از کریستال های نانو گرافن ایزوله و توزیع یکنواخت به عنوان دروازه شناور نانو با ظرفیت قابل کنترل و یکنواختی عالی مورد استفاده قرار میگیرد. حافظه به دام انداختن بار نانو گرافن دارای گیت حافظه بزرگ (4.5 ولت) را در ولتاژ عملکرد پایین (8 ولت)، پایداری شیمیایی و حرارتی (1000 درجه سانتیگراد)، و همچنین عملکرد حافظه قابل تنظیم با استفاده از تونل زنی متفاوت نشان می دهد.

گرافن ویژگی های نانو الکترونیکی برجسته ، تحرک پذیری الکترونی بسیار بالا و هدایت بی نظیری در مقیاس نانو دارد. رسانای فوق العاده ای است بطوریکه الکترون ها را با سرعت ده برابر بیشتر از سیلیکون منتقل می کند. این ویژگی ها گرافن را به کاندیدای ایده آلی برای کاربرد های نانو الکترونیکی نسل های آتی از قبیل  نانو حافظه های مولکولی گرافنی مبدل کرده است.




بَرهمکنش ذرات الکترونیکی نانو گرافنی جذب شــده که این عمل موجب تغییر هدایت الکتریکی در سطح نانو حافظه های مولکولی گرافنی Nano Memory Moulcolar میشــود. جذب مقدار کم نانو الکترون بــا جنبش مولکولی بسیار کم موجب تغییــر مقاومت نانو گرافن شــده که این مقاومت متناسب با نانو حافظه های مولکولی گرافنی Nano Memory Moulcolar میباشد. نانو حافظه های مولکولی گرافنی Nano Memory Moulcolar یک نانو دستگاه حافظه ترانزیستوری دروازه شناور نانو گرافن انعطاف پذیر شفاف که با ترکیب یک کانال فعال گرافن تک لایه با عناصر تله بار نانو ذرات طلا ساخته شده است.به طور سیستماتیک اندازه های عناصر تله بار نانو ذرات طلا ، ضخامت لایه دی الکتریک تونل زنی و سطح دوپینگ گرافن در تولید آن بسیار مهم میباشد. به طور خاص، تفاوت های رسانایی (به عنوان مثال ، پنجره حافظه) بین عملیات برنامه ‌نویسی و پاک کردن در یک ولتاژ دروازه خواندن خاص را می ‌توان از طریق دوپینگ به حداکثر رساند. نانو حافظه های گرافنی حاصل به صورت مولکولی توسعه یافته ‌اند، عملکرد حافظه در مقیاس نانو قابل برنامه‌ ریزی عالی را در مقایسه با دستگاه‌ های حافظه گرافنی قبلی و یک پنجره حافظه بزرگ (12 ولت)، سرعت سوئیچینگ سریع (1 میکرو ثانیه)، قابلیت اطمینان الکتریکی قوی را نشان می دهد.نانو حافظه های مولکولی گرافنی خواص الکترونیکی منحصر به فردی را نشان می‌ دهد و ابعاد کم، استحکام ساختاری و عملکرد بالای آن، آن را به عنوان رسانه ذخیره‌ سازی شارژ برای کاربرد های نانو حافظه بسیار امیدوار کننده می‌ سازد. همراه با توسعه دستگاه های کوچک و بزرگ شده، گرافن نانو ساختار به عنوان یک ماده ایده آل ظاهر می شود.



نتیجه گیری : 

نانو حافظه های مولکولی گرافنی یک حافظه به دام انداختن بار غیر فرار جدید با استفاده از کریستال های نانو گرافن ایزوله و توزیع یکنواخت به عنوان دروازه شناور نانو با ظرفیت قابل کنترل و یکنواختی عالی مورد استفاده قرار میگیرد. حافظه به دام انداختن بار نانو گرافن دارای گیت حافظه بزرگ (4.5 ولت) را در ولتاژ عملکرد پایین (8 ولت)، پایداری شیمیایی و حرارتی (1000 درجه سانتیگراد)، و همچنین عملکرد حافظه قابل تنظیم با استفاده از تونل زنی متفاوت نشان می دهد.

پژوهشگر و نویسنده:  دکتر  (  افشین رشید)

دکترایِ  تخصصی نانو _ میکرو الکترونیک