_ بخش حافظه اِلکترونیکی (سی _ موس) CMOS  

(ic آی سی حافظه CMOS سی _ موس) از لحاظ کارایی بلند مدت 

پژوهشگر و نویسنده:  دکتر  (  افشین رشید)


نکته: تراشه‌ های حافظه اِلکترونیکی (سی _ موس) CMOS، تراشه‌ های حافظه فقط خواندنی  (سی _ موس) CMOS با قابلیت پاک‌ کردن الکتریکی، قابل برنامه ‌ریزی و قابل برنامه ‌ریزی هستند که می ‌توان آن ‌ها را به‌جای یک بایت در یک زمان، در بلوک ‌ها پاک کرد و دوباره برنامه ‌ریزی کرد. 

از آنجایی که تراشه‌ های حافظه اِلکترونیکی (سی _ موس) CMOS غیرفرار هستند، برای حفظ اطلاعات خود به منبع تغذیه ثابت نیاز ندارند. تراشه‌ های حافظه اِلکترونیکی (سی _ موس) CMOS زمان دسترسی بسیار سریع، مصرف انرژی کم و مصونیت نسبی در برابر شوک یا لرزش شدید را ارائه می دهند. طول عمر آنها تقریباً 100000 چرخه نوشتن است - واقعیتی که تراشه‌ های حافظه اِلکترونیکی (سی _ موس) CMOS را برای استفاده به عنوان حافظه اصلی رایانه نامناسب می کند. به طور معمول، تراشه های تراشه‌ های حافظه اِلکترونیکی (سی _ موس) CMOS در دستگاه های قابل حمل یا فشرده مانند دوربین های دیجیتال، تلفن های همراه، پیجرها و اسکنرها استفاده می شوند. تراشه های تراشه‌ های حافظه اِلکترونیکی (سی _ موس) CMOS همچنین به عنوان دیسک های حالت جامد در لپ تاپ ها و به عنوان کارت حافظه برای کنسول های بازی ویدیویی استفاده می شوند.   تراشه های تراشه‌ های حافظه اِلکترونیکی (سی _ موس) CMOS از نظر چگالی، اندازه بلوک بوت، تعداد کلمات، بیت در هر کلمه، فناوری گیت و ویژگی های خاص متفاوت هستند. چگالی ظرفیت تراشه در بیت است. اندازه بلوک بوت یک بلوک امن است که برای ذخیره کدهای بوت استفاده می شود. تعداد کلمات برابر با تعداد ردیف‌هایی است که هر کدام یک کلمه حافظه را ذخیره می‌کنند و برای آدرس‌دهی به یک خط کلمه متصل می‌شوند. بیت‌های هر کلمه تعداد ستون‌هایی هستند که هر کدام به یک مدار حس/نوشتن متصل می‌شوند. برخی از تراشه های حافظه فلش از فناوری NAND یا گیت دسترسی سریال پشتیبانی می کنند. سایر دستگاه ها از فناوری NOR یا گیت دسترسی تصادفی پشتیبانی می کنند. 

از نظر ویژگی‌های خاص، تراشه ‌های تراشه‌ های حافظه اِلکترونیکی (سی _ موس) CMOS را می‌توان به صورت انبوه یا صفحه به صفحه خواند. تراشه‌ های حافظه اِلکترونیکی (سی _ موس) CMOS که عملکرد خواندن در حین نوشتن (RWW) را ارائه می‌کنند، می‌توانند همزمان خوانده و روی آن نوشته شوند.



انتخاب تراشه‌ های حافظه اِلکترونیکی (سی _ موس) CMOS نیاز به تجزیه و تحلیل مشخصات عملکرد مانند زمان دسترسی، نگهداری داده ها، استقامت، ولتاژ منبع تغذیه و دمای عملیاتی دارد. زمان دسترسی با نانوثانیه (ns) اندازه‌ گیری می ‌شود، سرعت حافظه را نشان می ‌دهد و چرخه ‌ای را نشان می ‌دهد که زمانی که CPU درخواستی را به حافظه ارسال می ‌کند شروع می ‌شود و زمانی که CPU داده ‌های درخواستی را دریافت می ‌کند، پایان می‌ یابد. حفظ داده ها تعداد سال هایی است که تراشه ها می توانند داده ها را بدون بارگیری مجدد حفظ کنند. استقامت حداکثر تعداد چرخه های خواندن/نوشتن است که تراشه ها می توانند پشتیبانی کنند. ولتاژهای تغذیه از -5 ولت تا 5 ولت و شامل ولتاژهای میانی مانند -4.5 V، -3.3 V، -3 V، 1.2 V، 1.5 V، 1.8 V، 2.5 V، 3 V، 3.3 V و 3.6 V می باشد. برخی از تراشه‌ های حافظه اِلکترونیکی (سی _ موس) CMOS از محدوده دمایی خاصی پشتیبانی می کنند و دارای مشخصات مکانیکی و الکتریکی هستند که برای کاربرد های تجاری یا صنعتی مناسب است.

  • پژوهشگر و نویسنده:  دکتر  (  افشین رشید)

  • دکترایِ  تخصصی نانو _ میکرو الکترونیک