_ بخش حافظه اِلکترونیکی (سی _ موس) CMOS


(حافظه های چند کاربردی SRAM) در ساختمان داخلی حافظه اِلکترونیکی (سی _ موس) CMOS (مطلب مهم لطفاً دقت نمایید)

پژوهشگر و نویسنده:  دکتر  (  افشین رشید)






نکته: بزرگترین مزیتِ جایگذاری حافظه اِلکترونیکی (سی _ موس) CMOS در آیسی ها و تراشه های SRAM مربوط به سلولهای بزرگ حافظه، مشکل قراردادن DRAM و حافظه فلش در کنار تراشه های منطقی و کندی زمان دسترسی به حافظه فلش و پایداری محدود آن است.

تراشه های حافظه اِلکترونیکی (سی _ موس) CMOS با دسترسی تصادفی استاتیک (SRAM) سلول های حافظه دو ترانزیستوری هستند که برای حفظ محتوای خود نیاز به منبع تغذیه ثابت دارند.







 برنامه های رایج در حافظه اِلکترونیکی (سی _ موس) CMOS برای تراشه های حافظه SRAM شامل حافظه پنهان سیستم و حافظه ویدئویی است. هر بیت SRAM یک مدار فلیپ فلاپ است که از اینورتر های جفت متقابل ساخته شده است. فعال شدن ترانزیستور ها جریان جریان را از یک طرف به طرف دیگر کنترل می کند. ترانزیستورها به گونه ای متصل می شوند که در هر زمان فقط یک ترانزیستور داخل یا خارج شود.هنگامی که برق دریافت می شود، تمام سلول های SRAM در حالت منطقی 1 (روشن) هستند. نوشتن داده های بعدی برخی از سلول ها را به مرحله منطقی 0 (OFF) تغییر می دهد. این حالت تا عملیات نوشتن بعدی یا زمانی که برق قطع شود حفظ می شود. از آنجایی که در ساختمان داخلی SRAM ترانزیستور های متعددی استفاده میشود. به قدرت بیشتری نیاز دارند . با این حال، به دلیل اینکه نیازی به رفرش مداوم ندارند،جایگداری حافظه اِلکترونیکی (سی _ موس) CMOS در تراشه های حافظه SRAM سریعتر و قابل اعتمادتر هستند.چگالی ظرفیت تراشه در بیت است. تعداد کلمات برابر با تعداد ردیف‌ هایی است که هر کدام یک کلمه حافظه را ذخیره می‌کنند و برای آدرس‌دهی به یک خط کلمه متصل می‌شوند. بیت های هر کلمه تعداد ستون ‌هایی هستند که هر کدام به یک مدار حس/نوشتن متصل می ‌شوند. ولتاژ های تغذیه از -5 ولت تا 5 ولت متغیر است و ولتاژهای میانی زیادی را شامل می شود.زمان دسترسی با نانو ثانیه (ns) اندازه ‌گیری می ‌شود، سرعت حافظه را نشان می‌ دهد و چرخه ‌ای را نشان می‌دهد که از زمانی که واحد پردازش مرکزی (CPU) درخواستی را به حافظه ارسال می ‌کند شروع می‌ شود و زمانی که CPU داده ‌های درخواستی را دریافت می ‌کند، پایان می‌ یابد.زمان چرخه زمان مورد نیاز برای انجام یک عملیات خواندن یا نوشتن و تنظیم مجدد مدار داخلی است تا عملیات دیگری بر روی حافظه اِلکترونیکی (سی _ موس) CMOS شروع شود.


ولتاژ نگهداری داده ها و جریان نگهداری داده ها بر روی حافظه اِلکترونیکی (سی _ موس) CMOS به ترتیب حداقل ولتاژ و حداقل جریانی هستند که سلول های حافظه SRAM باید برای حفظ داده های ذخیره شده حفظ کنند.با هرتز (هرتز) اندازه‌ گیری می ‌شود، نرخ داده تعداد بیت‌ هایی در ثانیه است که می ‌توانند به صورت داخلی جابجا شوند.منطق ترانزیستور ترانزیستور (TTL) و فن آوری های مرتبط از ترانزیستور ها به عنوان سوئیچ های دیجیتال استفاده می کنند. در مقابل، منطق جفت شده امیتر (ECL) از ترانزیستورها برای هدایت جریان از طریق دروازه هایی که توابع منطقی را محاسبه می کنند، استفاده می کند.


خانواده منطقی دیگر، نیمه هادی اکسید فلزی مکمل (CMOS) از ترکیبی از ترانزیستورهای اثر میدانی اکسید فلزی-نیمه هادی نوع p و نوع n (MOSFET) برای پیاده سازی گیت های منطقی و سایر مدارهای دیجیتال استفاده می کند.
  • پژوهشگر و نویسنده:  دکتر  (  افشین رشید)

  • دکترایِ  تخصصی نانو _ میکرو الکترونیک