خواص شکل پذیری مقاومت باریر (resistance barrier) در تکثیر نانو ترانزیستورها و نانو چیپ ها بر پایه دکترای نانو الکترونیک
پژوهشگر و نویسنده: دکتر ( افشین رشید )
نکته: در تکثیر نانو ترانزیستورها و نانو چیپ ها خواص نانو الکترونیکی فوق العاده هر دانه نیز بطور موثر بکار میآید و این در حالی است که در اجزای تقویت شده نیز بطورچشمگیری افزایش پیدا میکند، زیرا هر جزء ریز نانو الکترون خود از صدها تا هزاران لایه تشکیل شده است.
در تکثیر نانو ترانزیستور ها و نانو چیپ ها خواص نانو الکترونیکی بهبود قابل توجهی می یابند، مانند: افزایش ضریب یانگ ، قدرت کشسانی ، مقاومت در برابر تغییر شکل بر اثر گرما ، مقاومت در برابر آتش ،مقاومت باریر (resistance barrier ، (هدایت یونی و شکل پذیری. امتیاز دیگرشان این است که تأثیر قابل توجهی بر خواص اپتیکی پلیمر ندارند. ضخامت نوری یک لایه نانو الکترون منفرد ، بسیار کمتر از طول موج نور مرئی است. از نظر اپتیکی شفاف و تقریبا بی رنگ هستند.
در تکثیر نانو ترانزیستور ها و نانو چیپ ها بر پایه نانو تکنولوژی الکترونیک تغییر در فاصله بین اتم های ذرات و هندسه ذرات روی خواص الکترونیکی ماده هم تاثیر گذار است وقتی اندازه ذرات کاهش می یابد پیوند های الکتریکی در فلزات ظریف تر می شوند.در ساختار ریز نانو ها و مقاومت باریر (resistance barrier) کمیت الکترونیکی که راحت تر دردسترس می باشد پتانسیل یونیزاسیون است و در پتانسیل یونیزاسیون در اندازه دانه های کوچک نانو ساختار (ذرات ریزتر) بیشتر است یعنی با افزایش اندازه ذرات پتانسیل یونیزاسیون آنها کاهش می یابد افزایش نسبت سطح به حجم وتغیرات در هندسه وساختار الکترونیکی تاثیر شدیدی روی فعل وانفعالات شیمیایی ماده می گذارد و برای مثال فعالیت ذرات کوچک با تغییر در تعداد اتم ها (ودرنتیجه اندازه ذرات) تغییر می کند.
در تکثیر نانو ترانزیستور ها و نانو چیپ ها برای ساخت دو روش در نظر گرفته می شود: روش ساخت پایین به بالا و روش ساخت بالا به پایین. در روش ساخت پایین به بالا، وسایل و مواد از سطح مولکولی بر اساس اصول شیمی مولکولی ساخته می شوند درست مانند یک دیوار که از روی هم گذاشتن آجر به آجر ساخته می شود. در روش ساخت بالا به پایین، اشیاء نانویی بدون کنترل اتمی در مقادیر بزرگتر ساخته می شوند .
پژوهشگر و نویسنده: دکتر ( افشین رشید )