(ترانزیستور های ماسفِت)
ترانزیستور پیوندی دو قطبی IGFET (نحوه عملکرد و کاربرد ها)
پژوهشگر و نویسنده: دکتر ( افشین رشید)
نکته: در ترانزیستور پیوندی IGFET دوقطبی که جریان خروجی کلکتور، متناسب با جریان ورودی گذرنده از بیس است که سبب می‌شود ترانزیستور مانند یک قطعه جریان کار کند ، زیرا یک جریان کوچکتر را می‌توان برای سوئیچ جریان بزرگ بار به کار برد.
ترانزیستور اثر میدان (Field Effect Transistor) یا IGFET، از یک ولتاژ برای اعمال به ترمینال ورودی که گیت (Gate) نامیده می‌شود، استفاده می‌کند و جریان گذرنده از آن متناسب با این ولتاژ است. از آن‌جایی که عملکرد IGFET مبتنی بر یک میدان الکتریکی حاصل از ولتاژ گیت ورودی است (نام اثر میدان به همین دلیل است)، سبب می‌شود ترانزیستور اثر میدان، یک قطعه مبتنی بر ولتاژ باشد.
ترانزیستور اثر میدان IGFET ، یک قطعه نیمه‌هادی تک‌قطبی است که مشخصات آن بسیار شبیه به ترانزیستور دوقطبی مشابه است. برخی از ویژگی‌های این قطعه، بازدهی بالا، عملکرد لحظه‌ای، مقاوم و ارزان بودن است که می‌توان آن را در اغلب مدارهای الکترونیکی با ترانزیستورهای پیوندی دوقطبی (BJT) معادل جایگزین کرد.
نحوه روشن کردن ترانزیستور IGFET
برای روشن کردن ترانزیستور ماسفت منفی.پراب سیاه رنگ را بر روی پایه سورس قرار دهید، و پراب قرمز رنگ را بر روی پایه گیت قرار دهید.با این کار ترانزیستور شما روشن می شود.حال پراب های مولتی متر را بر روی پایه های سورس و درین ترانزیستور قرار دهید. باید بتوانید در هر جهتی که پایه های مولتی متر را روی سورس و درین قرار دادید عددی روی مولتی متر مشاهده نماید.در ترانزیستور N-Chanel (پراب قرمز رنگ برابر با سورس ) و (پراب سیاه رنگ برابر با درین ) است.در ترانزیستور P-Chanel (پراب سیاه رنگ برابر با سورس ) و (پراب قرمز رنگ برابر با درین ) است.
پژوهشگر و نویسنده: دکتر ( افشین رشید)
دکترایِ تخصصی نانو _ میکرو الکترونیک