برنامه ریزی ic آیسی های PROM (حافظه قابل برنامه ریزی فقط خواندنی و یکبار مصرف)
پژوهشگر و نویسنده: دکتر ( افشین رشید)
نحوه برنامه ریزی به این گونه بود که PROM تعداد 1024 بیت را به صورت 256 کلمه 4 بیتی ذخیره می کرد. با این حال، بیت ها از نظر فیزیکی در یک شبکه 33×33 مرتب شده اند زیرا یک شبکه حافظه مربعی کارآمدتر از یک شبکه بسیار مستطیلی است. برای دسترسی به حافظه، بیت های آدرس A3-A7 یکی از 32 ستون را انتخاب کنید. 32 بیت انتخاب شده در ستون از طریق مالتی پلکسرهای سمت راست می گذرد که از هر گروه هشت تایی یک بیت را بر اساس بیت های آدرس A0-A2 انتخاب می کنند. چهار بیت انتخاب شده به چهار خروجی تبدیل می شوند. بنابراین، آدرس دهی دارای دو بخش است - یکی برای انتخاب ستون و دیگری برای انتخاب چهار بیت خروجی - و آنها مدار جداگانه دارند.انتخاب ستون از 32 گیت NAND استفاده می کند که با ترانزیستور های چند اِمیتر پیاده سازی شده اند.
PROM فقط یک بار اجازه نوشتن را می دهد، بنابراین به آن "One Time Progarmming ROM" (OTP-ROM نیز می گویند. هنگامی که PROM از کارخانه ارسال می شود، محتوای ذخیره شده همه 1 است و کاربر می تواند برخی از واحدها را در صورت نیاز در داده 0 بنویسد (بعضی از PROM ها وقتی از کارخانه ارسال می شوند همه 0 هستند، سپس کاربر می تواند برخی از آنها را بنویسد. واحد به 1) ، به منظور دستیابی به هدف "برنامه نویسی" خود. محصول معمولی PROM "ساختار فیوز دوقطبی" است. اگر بخواهیم برخی از سلول ها را بازنویسی کنیم، می توانیم جریان کافی را به این سلول ها وارد کنیم و آنها را برای مدت زمان مشخصی حفظ کنیم. فیوز اصلی می تواند منفجر شود. به اثر بازنویسی بیت های خاص رسید. نوع دیگری از PROM کلاسیک، PROM است که از دیود شاتکی استفاده می کند. در زمان حمل، دیود در حالت قطع معکوس قرار دارد یا ولتاژ معکوس به دیود شاتکی با روش جریان زیاد اعمال می شود و باعث خرابی دائمی آن می شود.
- پژوهشگر و نویسنده: دکتر ( افشین رشید)
دکترایِ تخصصی نانو _ میکرو الکترونیک