(طراحی مدار الکترونیکی) آشنایی بیشتر با ساختار و عملکرد ترانزیستور (J_FET) (برق_ الکترونیک)
پژوهشگر و نویسنده: دکتر ( افشین رشید )
نکته : ترانزیستور JFET به گونه ای از ترانزیستور های اثر میدان گفته می شود که از یک کانال عبور و یک گیت تشکیل شده اند. دو پایهٔ درین (Drain) و سورس (Source) با اتصال اهمی به دو طرف کانال متصل هستند و پایهٔ گیت اتصال یکسوساز دارد.
ترانزیستور اثر میدان ، یا j _ FET ، با استفاده از ولتاژ است که به ترمینال های ورودی خود جریان را اعمال میکند. به نام دروازه برای کنترل جریان را از طریق آنها را در جریان خروجی در نتیجه متناسب با ولتاژ ورودی است. از آنجا که عملکرد آنها به یک میدان الکتریکی (از این رو اثر میدان )تولید شده که توسط ولتاژ ورودی گیت متکی است، این عملکرد باعث می شود تا ترانزیستور Field Effect Field تبدیل به وسیله ای با عملکرد بهتر "VOLTAGE" شود.در JFET جریان الکتریکی عبوری از کانالِ بین سرهای سورس و درین، با اعمال ولتاژ به سر گیت کنترل می‌شود.در JFET جریان بین سرهای سورس و درین با کنترل مقاومت ناحیهٔ کانال مهار می‌شود. برای تغییر مقاومت ناحیهٔ کانال، عرض ناحیه تهی(بدون حامل الکتریکی) را با اعمال بایاس معکوس بین پیوند گیت و کانال تغییر می دهند. به طور کلی JFET ساده‌ترین نوع ترانزیستور اثر میدان است. می‌توان آن را به عنوان یک سوئیچ الکترونیکی تحت کنترل یا به عنوان یک مقاومت کنترل شده به وسیلهٔ ولتاژ استفاده کرد. بار الکتریکی از طریق یک کانال نیمه هادی بین ترمینال های "source" و "drain" جریان می یابد. با اعمال کردن یک ولتاژ بایاس معکوس به ترمینال "gate"، این کانال "pinched" (فشرده) می شود. به طوری که جریان الکتریکی کاهش یافته یا به طور کامل قطع می شود.
می توان از JFET به عنوان مقاومت کنترل ولتاژ یا به عنوان سوئیچ استفاده نمود. یا حتی با استفاده از JFET تقویت کننده بسازیم. همچنین JFET در مدار مصرف برق کم و اتلاف انرژی نسبتاً کم را در اختیار شما قرار می دهد ، بنابراین بازده کلی مدار را بهبود می بخشد. همچنین امپدانس ورودی بسیار بالایی را ارائه می دهد که یک مزیت اصلی نسبت به ترانزیستورهای معمولی میباشد.
پژوهشگر و نویسنده: دکتر ( افشین رشید )