_ بخش ترانزیستور(تَک اتصالی) UJTs
بررسی (منطقه قطع) در ترانزیستور(تَک اتصالی) UJTs
پژوهشگر و نویسنده: دکتر ( افشین رشید)
در ساختار و ساختمان داخلی ترانزیستور تک اتصالی UTJs در این ناحیه ، ولتاژ ورودی اعمال شده برای روشن کردن دستگاه کافی نیست و ولتاژ اعمال شده به ولتاژ تحریک نرسیده است.اگر یک ولتاژ مثبت به امیتر اعمال شود، پیوند pn تا زمانی که ولتاژ ورودی کمتر از میزان معین باشد، در بایاس معکوس باقی می‌ماند. تحت این شرایط، حفره ها از ماده نوع p به میله نوع n تزریق می شوند. این حفره ها توسط الکترون های مثبت دفع می شوند.
_ife5.gif)
دو اتصــال انتهایی ناحیــه N را پایه های (بیــس دو) و اتصال نیمه هادی نوع P را امیتر می گویند. مقاومت اهمی نیمه هادی نوع N زیاد و در حدود 4 تا 10 کیلو اهم است .ترانزیستور UJT را می توان به صورت مدار معادل میباشد.چنان چــه پایه ی امیتــر (E) را باز نگه داریــم و اختلاف پتانســیل را در دو سر نیمه هادی نوع N برقرار کنیم در را ضریــب تقســیم UJT مــی نامند که مقــدار آن به وسیله ی کارخانه سازنده مشــخص می شود.
ترانزیستور تک پیوندی «روشن» است. در این مرحله، امپدانس امیتر به B1 کاهش می یابد زیرا امیتر به حالت اشباع با امپدانس پایین می رود و جریان امیتر از طریق R1 جاری می شود.از آنجایی که مقدار اهمی مقاومت R1 بسیار کم است، خازن به سرعت از طریق UJT دشارژ می شود و یک پالس ولتاژ با افزایش سریع در R1 ظاهر می شود . همچنین، از آنجایی که خازن سریع تر از طریق UJT دشارژ می شود تا از طریق مقاومت R3 شارژ شود ، زمان دشارژ بسیار کمتر از زمان شارژ است زیرا خازن از طریق UJT با مقاومت کم دشارژ می شود.وقتی ولتاژ دو سر خازن به زیر نقطه نگهدارنده پیوند pn ( V OFF ) کاهش می یابد، ترانزیستور تک پیوندی (UJT) خاموش می شود و هیچ جریانی به پیوند امیتر جریان نمی یابد، بنابراین خازن دوباره از طریق مقاومت R3 شارژ می شود و این فرآیند شارژ و دشارژ بین V ON و V OFF تا زمانی که ولتاژ تغذیه V اعمال شود، دائماً تکرار می شود.
پژوهشگر و نویسنده: دکتر ( افشین رشید)
دکترایِ تخصصی نانو _ میکرو الکترونیک