ترانزیستورهای دو پیوندی یا BJT (ساختار و ساختمان داخلی) مهندسی برق _ الکترونیک
پژوهشگر و نویسنده: دکتر ( افشین رشید )
نکته : ترانزیستورهای معمولی به دلیل ساختار فیزیکی خاصی که دارند ترانزیستورهای دوپیوندی یا BJT نامیده میشوند و عناصری هستند که جریان را کنترل میکنند به زبانی دیگر جریان(پایه بیس )ترانزیستور جریان کلکتور را کنترل میکند.
البته در BJT تغییر ولتاژ بیس _ امیتر نیز میتواند(I_B) را تغییر داده و سرانجام IC کنترل شود. برای برقراری جریان در اتصال کلکتور، باید جریان (بیس) به اندازهای باشد که بتواند بهطور کامل بر پتانسیل سد پیوند بیس امیترغلبه کند و آن را بشکند. وجود جریان ورودی زیاد در ترانزیستور BJT باعث میشود که مقاومت ورودی ترانزیستورهای دو پیوندی ً نسبتا کم باشد به طوری که مقاومت ورودی حتی درآرایش کلکتور مشترک، از چند صد هزار اهم تجاوز نکند. بنابراین هنگامی که میخواهیم سیگنال منبعی با مقاومت داخلی بسیار زیاد ( مثلا حدود چند مگا اهم) را تقویت کنیم نمیتوانیم ترانزیستور BJT را در طبقه اول تقویت کننده به کار ببریم زیرا مقاومت ورودی کم آن باعث بارگذاری میشود.
ترانزیستورهای دو پیوندی یا BJT (ساختار و ساختمان داخلی)
ساختمان داخلی ترانزیستورهای اثر میدان در مقایسه با ترانزیستورهای BJT ،ساده تر است و مقاومت ورودی بسیار زیاد (در حدود ١٠MΩتا ١٠٠٠MΩ ) دارند.ترانزیستورهای اثر میدان با ولتاژ کنترل میشوند و در ساختمان داخلی آنها فقط دو نوع نیمه هادی به کار میرود، به همیـن علت این تـرانزیستورها را «تک پیـونـدی» (Transistor unijunction ) یا یک قطبی میگویند.
ترانزیستورهای اثر میدان را در دو نوع متفاوت به شرح زیر می سازند.
الف) استفاده از روش نفوذی یعنی نفوذ دادن کریستال نوع N در P یا برعکس، این نوع ترانزیستورها را JFET مینامند.
ب) استفاده از خاصیت خازنی لایه ها ، این نوع ترانزیستورها را MOSFET مینامند. MOS از کلمات فلزی Metal = M، اکسید Oxide = O و نیمه هادی Semiconductor = S گرفته شده است.
پژوهشگر و نویسنده: دکتر ( افشین رشید )