بخش «نانو اِسپین اِلکترون ها» _ نانو اِلکترونیک
ساختار نانو اِسپین و اتصال تونل مغناطیسی به کارگیری
نکته: این ساختار نانو اسپین و اتصال تونل مغناطیسی به کارگیری در صنعت را نداشت؛ برای تغییر مغناطیس لایه فرومغناطیس باید از یک میدان مغناطیسی خارجی استفاده میشد که این کار خود مشکلات زیادی را پیشِرو داشت. در این صورت امکان تغییر مغناطیس با استفاده از جریان 1 اسپینی وجود دارد
این ساختار نانو اسپین میتواند عملاً امکان استفاده از پدیده تونلزنی مقاومت مغناطیسی را فراهم آورد. به این گفته میشود ؛روش برای تغییر مغناطیس انتقال گشتاور اسپین با استفاده از این فناوری میتوان یک مقاومت متغیر ساخت. مقاومت متغیر میتواند هم برای ذخیره سازی اطلاعات و هم برای کلیدزنی استفاده میشود. سازوکار عملکرد این فناوری برای تغییر مقاومت تعریف شده است.
«نانو اِسپین اِلکترون ها» مونتاژ موقعیتی قابل برنامه ریزی در مقیاس مولکولی مکانیزم اصلی دستیابی به انعطاف پذیری بالا و نهایت دقت و کیفیت در تولید است.نانو تکنولوژی الکترونیک مولکولی یا «نانو اِسپین اِلکترون ها» کلید دیگر در تولید مولکولی عملی ، توانایی ساخت مقادیر عظیمی از ساختارهای دقیق مولکولی یا جمع آوری اجسام بزرگتر از تعداد زیادی از اجسام کوچکتر با دقت مولکولی - یعنی مجموعه موازی انبوه است. نتیجه نهایی این فرایند توسعه یک مونتاژ کننده مولکولی اساسی خواهد بود که از فناوری نانو در فاز ماشین های نانو الکتریکی (به عنوان مثال ، چرخ دنده های نانو متری ، فنر ها ، فنر ها ، موتور ها ، بدنه) و برای ساخت ساختار های خاص است. به طور کلی «نانو اِسپین اِلکترون ها» دقیق مولکولی ، پیروی از مجموعه ای از دستورالعمل ها برای ساختن یک مورد دلخواه استفاده می کند.نانو ذرات تکثیر شده به دلیل سطح ویژه و انرژی سطحی زیاد، به هم میچسبند و تشکیل توده میدهند. این پدیده به از بین رفتن خواص حاصل از اندازه کوچک این ذرات میانجامد.برای جلوگیری از انباشت نانو ذرات در مرحله سانتز ، از پایدار ساز ها استفاده میشود. معمولًا، دو نوع روش الکتروستاتیکی و رانش فضایی برای پایدار کردن نانوذرات استفاده میشود.. در روش اول، از یونها برای پایدار کردن نانو ذرات استفاده میشود. این یون ها به ذرات جذب میشوند و یک لایه دارای بار الکتریکی اطراف نانو ذرات تشکیل میدهند.
نتیجه گیری:
این ساختار نانو اسپین و اتصال تونل مغناطیسی به کارگیری در صنعت را نداشت؛ برای تغییر مغناطیس لایه فرومغناطیس باید از یک میدان مغناطیسی خارجی استفاده میشد که این کار خود مشکلات زیادی را پیشِرو داشت. در این صورت امکان تغییر مغناطیس با استفاده از جریان 1 اسپینی وجود دارد.
پژوهشگر و نویسنده: دکتر ( افشین رشید)
دکترایِ تخصصی نانو _ میکرو الکترونیک