_بخش آزمایشگاه نانو حافظه های اِلکتریکی (Nano Electronic memory)
آزمایش (نانو حافظه الکترونیکی) با استفاده از مولکولهای آلی ریز شبه کلروفیلی به جای خازن های ذخیره بار
پژوهشگر و نویسنده: دکتر ( افشین رشید)
نکته: در هدایت الکتریکی از یک هادی به یک نیمه هادی و یا یک عایق قابل تغییر الکتریکی نانو لوله ها بسته به ساختار و زاویه کایرال مولکولی آنها میباشد. از آنجایی که نانو لوله های کربنی قادرند جریان الکتریسته را به وسیله انتقال بالستیک الکترون بدون اصطکاک از سطح خود عبور دهند- این جریان صد برابر بیشتر از جریانی است که از سیم مسی عبور میکند- لذا نانولوله ها انتخاب ایده آلی برای ساخت تراشه هایNano memory cloud نانو اَبر حافظه ای میباشند.
ساخت تراشه هایNano memory cloud نانو اَبر حافظه ای از جنس نانو لوله های کربنی میباشد، اگر چه کشف نانو لوله های کربنی کوچک اما بسیار مقاوم، انعطاف پذیر و رسانا با ابعادی در حد رشته های DNA بوده است و استفاده از مولکولهای آلی ریز شبه کلروفیلی به جای خازن های ذخیره بار در تراشه های حافظه از نوع نانو جذب کند. نانو بلورها که کاربرد آن موجب افزایش طول عمر اَبر حافظه های نانو خواهد شد.
در واقع با استفاده از فناوری نانو می توان ظرفیت ذخیره سازی اطلاعات را در حد هزار برابر یا بیشتر افزایش داد. ذخیره سازی اطلاعات مبحثی بسیار مهم و ضروری است که می تواند به روش های مختلفی از طریق اَبر حافظه های نانو انجام شود.یکی از ابزار جدید ذخیره اطلاعات استفاده از نقاط کوانتومی نیکلی در اندازه های نانومتری است که انتظار می رود برای ذخیره کردن ترابایتی داده ها، مورد استفاده قرار گیرد. با توجه به اَبر حافظه های نانو پتانسیل بالایی برای فعالیت در این زمینه وجود دارد.ساختار و ساختمان ابر خازن ها بر پایه نانو الکترونیک 100 برابر بار بیشتری نسبت به انواع الکترولیت در حجم مساوی ذخیره کنند و با سرعت بسیار بیشتری نسبت به باتری شارژ و تخلیه شوند.
البته هنوز این خازنها تا 10 برابر بار کمتری نسبت به بعضی انواع باتری در حجم مساوی ذخیره میکنند باتوجه به این ویژگیها، اَبرخازنها در مواردی، که نیاز به دفعات مکرر شارژ و تخلیه باشد، سرعت شارژ بالا موردنیاز باشد و یا نیاز به تخلیه ناگهانی بار باشد، مورد استفاده قرار میگیرند.(تاکنون مصرف عمده آنها در صنایع الکترونیک به عنوان پشتیبان برای حافظه های SRAM بوده است.)نانو الکترونیک طرحواره ای از یک اَبر خازن در نشان داده شده است. ایده اصلی برای رسیدن به ظرفیت بالای خازنی کاهش فاصله بارهای مثبت و منفی در خازن است. طراحی این خازنها به گونهای است که ضخامت لایه دیالکتریک در آنها از یک یا چند ملکول تجاوز نمیکند.
نتیجه گیری :
در هدایت الکتریکی از یک هادی به یک نیمه هادی و یا یک عایق قابل تغییر الکتریکی نانو لوله ها بسته به ساختار و زاویه کایرال مولکولی آنها میباشد. از آنجایی که نانو لوله های کربنی قادرند جریان الکتریسته را به وسیله انتقال بالستیک الکترون بدون اصطکاک از سطح خود عبور دهند- این جریان صد برابر بیشتر از جریانی است که از سیم مسی عبور میکند- لذا نانولوله ها انتخاب ایده آلی برای ساخت تراشه هایNano memory cloud نانو اَبر حافظه ای میباشند.
پژوهشگر و نویسنده: دکتر ( افشین رشید)
دکترایِ تخصصی نانو _ میکرو الکترونیک