_ بخش حافظه اِلکترونیکی (سی _ موس) CMOS
از لحاظ کاربردی حافظه CMOS (سی _ موس) رَم استاتیک غیر فرار (NVSRAM) نامیده میشود
پژوهشگر و نویسنده: دکتر ( افشین رشید)
نکته: در مورد آیسی ic حافظه CMOS (سی _ موس) رم استاتیک غیر فرار (NVSRAM) میتوان گفت که به طور کلی بسته به رفتار دستگاه در هنگام قطع برق، آیسی های حافظه ممکن است به عنوان فرار یا غیر فرار دسته بندی شوند. حافظه فرار (که بیشتر به عنوان حافظه موقت شناخته می شود) اطلاعات را تا زمانی که با برق تامین می شود حفظ می کند، اما در صورت قطع برق، حافظه ذخیره شده را از دست می دهد. برعکس، حافظه غیرفرار ، داده های ذخیره شده را حتی در صورت عدم تغذیه، حفظ می کند. به دلیل این واقعیت، دستگاه های غیر فرار اغلب برای ذخیره سازی طولانی مدت (ثانویه) استفاده می شوند. همانند تمایز بین انواع اولیه و ثانویه، تراشه‌های حافظه بسته به فناوری و کاربرد دستگاه ممکن است فرار یا غیرفرار باشند.
به عنوان دستگاه های نیمه هادی، تراشه های حافظه از ترانزیستور ها و خازن ها تشکیل شده اند: خازن ها برای ذخیره دو بیت منطقی باینری (0 یا 1) خدمت می کنند، در حالی که ترانزیستور ها امکان خواندن و نوشتن داده ها را برای خازن ها فراهم می کنند.
یک آیسی ic حافظه CMOS (سی _ موس) رم استاتیک غیر فرار (NVSRAM) از هزاران مدار کوچک تشکیل شده است که به سلول های حافظه معروف هستند . داده های ذخیره شده در سلول ها را می توان با استفاده از آدرس های حافظه باینری اختصاص داده شده به هر سلول، به‌طور غیر مخرب (یا «خواندن») دریافت کرد. در حالی که تراشه های اولیه می توانستند تنها چند بیت اطلاعات را در خود نگهداری کنند، بزرگ‌ترین تراشه های حافظه نیمه رسانا اکنون می توانند چندین گیگابیت را ذخیره کنند و ظرفیت های بالاتری دائماً در حال توسعه و معرفی هستند.
آیسی های حافظه CMOS (سی _ موس) اساساً بر اساس نوع فناوری آن ها که شامل روش‌های خواندن، نوشتن و ذخیره‌سازی داده‌ها است، شناسایی و مشخص می‌شوند. قبل از کاوش در هر نوع خاص، بررسی دو دسته وسیع تری از تراشه های حافظه که با کیفیت ذخیره سازی داده ها متمایز می شوند، مفید است.حافظه با دسترسی تصادفی (RAM) به عنوان یک اصطلاح عمومی برای هر تراشه حافظه ای که می توان روی آن نوشت و خواند که یک تراشه فقط خواندنی (ROM) نیست، استفاده می شود، بیشتر RAM به عنوان فرار طبقه بندی می شود. انواع خاصی از رم های غیر فرار (NVRAM)، مانند رم فروالکتریک (FRAM)، غیر فرار هستند.
پژوهشگر و نویسنده: دکتر ( افشین رشید)
دکترایِ تخصصی نانو _ میکرو الکترونیک