نانو ترانزیستورهای اثر میدانی با استفاده از گرافن و (Si) چند لایه (بر پایه دکترای نانو _ میکرو الکترونیک)(دکترای آموزشی_ پژوهشی)
پژوهشگر و نویسنده: دکتر ( افشین رشید )
نکته : گرافن که تنها از یک اتم کربن تشکیل شده می تواند برای ایجاد نانو ترانزیستورهای اثر میدانی گرافنی چند لایه که انرژی کمتری مصرف کرده و فضای کمی اشغال می کنند به کار رود.
گرافن یک ماده نیمه رسانا با گپ صفر و غیر مناسب برای مدارهای منطقی میباشد اما با استفاده از فناوری نانو اشکال مختلف از این ماده را ایجاد میکنند که دارای گپ متفاوت میباشند . نانو نوارهای گرافنی، گرافن های چند لایه و گرافن رشد داده شده بر روی Si از قبیل این اشکال میباشند. عبارت نانو ترانزیستور از ترکیب واژه مقیاس نانو در انتقال و مقاومت به وجود میآید. در یک نانو ترانزیستور اثر میدانی گرافنی Si مقاومت بین دو الکترود میتواند توسط یک الکترود سوم منتقل و یا کنترل شود.در یک نانو ترانزیستور اثر میدانی گرافنی چند لایه Si ، جریان بین دو الکترود توسط میدان الکتریکی از الکترود سوم کنترل میشود. بر عکس ترانزیستور دو قطبی،در الکترود سوم به لحاظ خازنی متصل میشود و در تماس با نیمه هادی نیست. سه الکترود در ساختار نانو ترانزیستور اثر میدانی گرافنی چند لایه Si به سورس ، درین و گیت متصل میشوند
در دیاگرام مداری یک نانو ترانزیستور اثر میدان گرافنی Si چند لایه، دو الکترود سورس و درین به صورت مستقیم به نیمه هادی متصل هستند در حالیکه الکترود گیت به صورت خازنی و با استفاده از دی الکتریک گیت به نیمه هادی متصل است. میدان الکتریکی ایجاد شده توسط الکترود گیت جریان ایجاد شده توسط دو الکترود سورس و درین را کنترل میکند. انتقال جریان درین با تغییر چگالی حامل های بار در کانال انتقال دو بعدی مدوله شده است. درنانو ترانزیستور اثر میدان گرافنی Si چند لایه یک کانال انتقال 3 بعدی جریان درین با ضخامت کانال انتقال سه بعدی مدوله شده است.روش های متعدد شیمیایی و فیزیکی برای تولید انواع مختلف نانو گرافن چند لایه مطرح شده است. اساس کار روش های فیزیکی به این صورت است که در این روش ها سعی می کنند، نیروهای بین صفحات گرافنی در گرافیت را از بین ببرند و با جدا کردن آنها به تک لایه های گرافنی یا گرافن اکسید برسند که این همان روش بالا به پایین است. در روش های شیمیایی هم نانو گرافن چند لایه، از کنار هم قرار گرفتن تک تک اتم های کربن ساخته می شود که به این روش ها نیز، روش پایین به بالا گفته می شود.
نتیجه گیری:
در روش لایه برداری چند لایه نانو گرافن کیفیت الکترونیکی لایه ها بالاست، هزینه ی تولید گرافن در این روش کم می باشد و به تجهیزات خاصی نیاز ندارد. در نانو ترانزیستورهای اثر میدانی با استفاده از گرافن (Si) تعداد لایه های نانو گرافن تولید شده با این روش تک و چند لایه است. از محدودیت های استفاده از این روش آن است که برای تولید عمده مناسب نمی باشد و لایه های نازک تولیدی، غیر یکنواخت و ناصاف هستند و روشی زمان بر می باشد.