بررسی ساختار و ساختمان داخلی ترانزیستور شیلد شده (shielded transistor) (برق _ الکترونیک)
پژوهشگر و نویسنده: دکتر ( افشین رشید)
نکته : از این نوع ترانزیستور در مدارات مخابراتی _ گیرنده و مدارات سوییچینگ برای متعادل سازی و تقویت جریان بیشتر استفاده میشود، و در مواردی عملکردی مانند سنسور در برابر جریان را دارا میباشد.
عملکرد ترانزیستور شیلد شده (shielded transistor) برای ساختار های متجانس (homo-structure) که در آن از ماده ی یکسانی درون قطعه استفاده می شود، میزان بهره از حدود 50 تا چند صد می باشد. برای قطعاتی با ساختار چند لایه بهره می تواند تا ده هزار هم بالا برود. با وجود این که ساختارهای چند لایه دارای بهره ی بالایی هستند ترانزیستور شیلد شده (shielded transistor) به طور وسیع استفاده نمی شوند زیرا هزینه ی ساخت این قطعات زیاد است.
یکی از معایب اصلی ترانزیستور شیلد شده (shielded transistor) این است که دارای پاسخ فرکانسی خوبی در فرکانس های بالا نیستند. این مسئله ناشی از ظرفیت خازنی بالا در پیوند (سورس-گیت) است. این پیوند نسبتا بزرگ طراحی شده تا بتواند به میزان کافی تقویت جریان در مدار کند. برای یک قطعه با ساختار متجانس (homo-structure) مانند ترانزیستور شیلد شده (shielded transistor) در حالت معمول پهنای باند می تواند در حدود 250 کیلوهرتز محدود باشد. در قطعات با ساختار چند لایه حد بالایی فرکانس بیشتر است و برخی از آن ها می توانند در فرکانس هایی حدود 1 گیگا هرتز نیز عمل کنند.
پژوهشگر و نویسنده: دکتر ( افشین رشید)
دکترایِ تخصصی نانو _ میکرو الکترونیک