بررسی ساختار و ساختمان داخلی ترانزیستور های اثر میدانی MOSFET در (برق _ الکترونیک)
پژوهشگر و نویسنده: دکتر ( افشین رشید)
نکته: ترانزیستور MOSFET یک وسیله نیمه هادی است که برای تعویض و تقویت سیگنال های الکترونیکی در دستگاه های الکترونیکی کاربرد گسترده ای در مدارات متفاوت الکترونیکی دارد.
ترانزیستور MOSFET هسته ای از مدار های یکپارچه است و به دلیل همین اندازه های بسیار کوچک می توان آن را در یک تراشه واحد طراحی و ساخت. MOSFET چهار دستگاه ترمینال با پایانه های منبع (S) ، دروازه (G) ، تخلیه (D) و بدنه (B) است. بدنه MOSFET اغلب به ترمینال منبع وصل می شود ، بنابراین آن را به یک دستگاه سه ترمینال مانند ترانزیستور جلوه میدان تبدیل می کند. MOSFET در بسیاری از مدارات الکترونیکی مورد استفاده قرار میگیرد. و مرسوم ترین نوع ترانزیستور است و قابل استفاده در هر دو مدار آنالوگ و دیجیتال است.در مدار های گسترده ، یک ترانزیستور MOSFET به ما اجازه می دهد تا از ولتاژ نسبتاً کم در ساخت دروازه (Gate) استفاده کنیم تا جریان از تخلیه به منبع را تعدیل کنیم. دو نوع اساسی از MOSFET ها برای ساخت مدار های گسسته می شود.
ترانزیستور های Mosfet کاربرد های فراوانی در مدارات الکترونیکی دارند. از برق قدرت گرفته ( درایور ها ، منابع تغذیه سویچینگ و … ) تا مدار های الکترونیکی قدرت پایین و مدار های کنترلی ،MOSFET ها به دلیل داشتن امپدانس ورودی تقریباً نامتناهی در آمپلی فایرها بسیار مفید هستند که به آمپلی فایر اجازه می دهد تقریباً تمام سیگنال های ورودی را ضبط کند. مزیت اصلی این است که برای کنترل جریان بار ، در مقایسه با ترانزیستورهای دو قطبی ، تقریباً هیچ جریان ورودی نیاز ندارد.
ترانزیستور های Mosfet در مدار جریان یا ولتاژ را تنظیم می کند و به عنوان سوئیچ یا دروازه برای سیگنال های الکترونیکی عمل می کند. ترانزیستور Mosfet از سه لایه از یک ماده نیمه هادی تشکیل شده است که هر یک قادر به حمل جریان است.
پژوهشگر و نویسنده: دکتر ( افشین رشید)
دکترایِ تخصصی نانو _ میکرو الکترونیک