بررسی ساختار و ساختمان داخلی ترانزیستور تک پیوندی UJT (برق _ الکترونیک)
پژوهشگر و نویسنده: دکتر ( افشین رشید)
نکته: ترانزیســتور تک اتصالی یا UJT از یک قطعه نیمه هادی نوع N و بــه ندرت نوع P با ناخالصی کم تشــکیل معمــولاً می شــود. در قســمتی از نیمه هادی نوع N یــک نیمه هادی نــوع P را نفوذ می دهند، به این ترتیب اصطلاح تک پیوندی تعریف میشود.
دواتصــال انتهایی ناحیــه N را پایه های (بیــس دو) و اتصال نیمه هادی نوع P را امیتر می گویند. مقاومت اهمی نیمه هادی نوع N زیاد و در حدود 4 تا 10 کیلو اهم است .ترانزیستور UJT را می توان به صورت مدار معادل میباشد.چنان چــه پایه ی امیتــر (E) را باز نگه داریــم و اختلاف پتانســیل را در دو سر نیمه هادی نوع N برقرار کنیم در را ضریــب تقســیم UJT مــی نامند که مقــدار آن به وسیله ی کارخانه سازنده مشــخص می شود.
ترانزیستورهای بی سیم (UJTs) ترانزیستورهای سه لایه هستند که منحصراً به عنوان سوئیچ های کنترل برقی عمل می کنند. آنها به عنوان تقویت کننده استفاده نمی شوند.از مقاومت منفی و ویژگی های سوئیچینگ برای استفاده به عنوان نوسان ساز آرامش در برنامه های کنترل فاز برخوردار است.ترانزیستور UJT بیشتر در مدار پالس گیت ها، مدار های زمان بندی و برنامه های کاربردی ژنراتور ماشه به سوئیچ و کنترل مورد استفاده قرار گیرد.UJT اگر چه نام ترانزیستور را دارد ، اما ویژگی های سوئیچینگ آن با مشخصات یک ترانزیستور دو قطبی یا تأثیر میدان معمولی بسیار متفاوت است زیرا نمی توان از آن برای تقویت یک سیگنال استفاده کرد بلکه در عوض به عنوان ترانزیستور سوئیچینگ ON-OFF استفاده می شود. UJT دارای رسانایی یک طرفه و ویژگی های امپدانس منفی هستند که در هنگام خرابی بیشتر شبیه یک تقسیم ولتاژ متغیر هستند.
پژوهشگر و نویسنده: دکتر ( افشین رشید)
دکترایِ تخصصی نانو _ میکرو الکترونیک